應(yīng)用領(lǐng)域
該設(shè)備用于通過磁控濺射法沉積非金屬薄膜與金屬薄膜,用戶可以根據(jù)工藝的需要選擇單靶獨立工作、四靶輪流工作或四靶任意組合共濺等工作模式。
該設(shè)備由主腔室和預(yù)備室兩個真空室組成。主腔室用于鍍制薄膜,完成用戶主要鍍膜工藝過程。
預(yù)備室通過高真空插板閥與主腔室相連,可以用于鍍膜前基片與鍍膜后薄膜的等離子清洗,并可以在不破壞主腔室真空的條件下更換基片。
設(shè)備描述
鍍膜室:
1. 有效尺寸約¢550×500,極限真空:5×10-5Pa;
2.腔體具有自加熱烘烤除氣功能;
4.基片尺寸“4吋??蓪崿F(xiàn)旋轉(zhuǎn)、升降;
5. 加熱溫度600℃,控溫精度±1度;
預(yù)備室:
1. 有效尺寸約¢300×350;極限真空:5×10-4Pa;
2. 腔體具有自加熱烘烤除氣功能;
3. 對基片射頻濺射清洗功能;
4. 配置基片庫,可一次裝卡4片基片;