avav588con,最近2019中文免费字幕在线观看,欧美一道本一区二区三区,九九热在线观看,经典好看免费AV

　　【中國(guó)安防展覽網(wǎng) 科技動(dòng)態(tài)】格羅方德半導(dǎo)體自完成對(duì)IBM微電子業(yè)務(wù)的收購(gòu)，是其獲得了一系列差異化技術(shù)，可用于增強(qiáng)其公司在軍用、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、大數(shù)據(jù)和高性能計(jì)算等主要增長(zhǎng)型市場(chǎng)中的產(chǎn)品組合，不僅鞏固了在邁向10nm、7nm以及更先進(jìn)的工藝之路上的地位，在全新的半導(dǎo)體工藝上，也推出了新一代聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的超低功耗要求的“22FDX”平臺(tái)，此平臺(tái)提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當(dāng)，為迅速發(fā)展的移動(dòng)、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡(luò)市場(chǎng)提供了一個(gè)佳解決方案。
　　
　　雖然某些設(shè)備對(duì)三維FinFET晶體管的性能有要求，但大多數(shù)無(wú)線設(shè)備需要在性能、功耗和成本之間實(shí)現(xiàn)更好的平衡。22FDX采用業(yè)內(nèi)22nm二維全耗盡平面晶體管技術(shù)（FD-SOI）工藝，為成本敏感型應(yīng)用提供了一條佳途徑。憑借業(yè)內(nèi)低的0.4伏工作電壓，該平臺(tái)實(shí)現(xiàn)了超低動(dòng)態(tài)功耗、更低的熱效應(yīng)和更為精巧的終端產(chǎn)品規(guī)格。該平臺(tái)提供的芯片尺寸比28nm工藝小20%，掩膜少10%，而且其浸沒式光刻層比f(wàn)oundryFinFET工藝少近50%，為聯(lián)網(wǎng)設(shè)備在性能、功耗和成本方面實(shí)現(xiàn)了佳組合點(diǎn)。
　　
　　格羅方德半導(dǎo)體自完成對(duì)IBM微電子業(yè)務(wù)的收購(gòu)，是其獲得了一系列差異化技術(shù)，可用于增強(qiáng)其公司在軍用、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、大數(shù)據(jù)和高性能計(jì)算等主要增長(zhǎng)型市場(chǎng)中的產(chǎn)品組合，不僅鞏固了在邁向10nm、7nm以及更先進(jìn)的工藝之路上的地位，在全新的半導(dǎo)體工藝上，也推出了新一代聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的超低功耗要求的“22FDX”平臺(tái)，此平臺(tái)提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當(dāng)，為迅速發(fā)展的移動(dòng)、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡(luò)市場(chǎng)提供了一個(gè)佳解決方案。
　　
　　雖然某些設(shè)備對(duì)三維FinFET晶體管的性能有要求，但大多數(shù)無(wú)線設(shè)備需要在性能、功耗和成本之間實(shí)現(xiàn)更好的平衡。22FDX采用業(yè)內(nèi)22nm二維全耗盡平面晶體管技術(shù)（FD-SOI）工藝，為成本敏感型應(yīng)用提供了一條佳途徑。憑借業(yè)內(nèi)低的0.4伏工作電壓，該平臺(tái)實(shí)現(xiàn)了超低動(dòng)態(tài)功耗、更低的熱效應(yīng)和更為精巧的終端產(chǎn)品規(guī)格。該平臺(tái)提供的芯片尺寸比28nm工藝小20%，掩膜少10%，而且其浸沒式光刻層比f(wàn)oundryFinFET工藝少近50%，為聯(lián)網(wǎng)設(shè)備在性能、功耗和成本方面實(shí)現(xiàn)了佳組合點(diǎn)。
　　
　　在RF領(lǐng)域，格羅方德半導(dǎo)體目前在無(wú)線前端模塊市場(chǎng)占據(jù)地位。IBM研發(fā)出世界的RF硅晶絕緣體（RFSOI）和高性能硅鍺（SiGe）技術(shù)，對(duì)格羅方德半導(dǎo)體現(xiàn)有的主流技術(shù)組合形成了高度互補(bǔ)。公司將繼續(xù)加大投入，推出其下一代RFSOI路線圖，并抓住汽車和家庭市場(chǎng)中的商機(jī)。
　　
　　格羅方德半導(dǎo)體執(zhí)行官SanjayJha表示：“22FDX平臺(tái)能夠讓我們的客戶在性能、功耗和成本之間實(shí)現(xiàn)佳平衡的差異化產(chǎn)品。該平臺(tái)在業(yè)內(nèi)提供針對(duì)晶體管特性的實(shí)時(shí)系統(tǒng)軟件控制功能：系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員能夠動(dòng)態(tài)平衡功耗、性能和漏電。此外，針對(duì)聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用中的射頻和模擬集成，該平臺(tái)可提供佳的擴(kuò)展性和高的能效。”22FDX采用了格羅方德公司位于德國(guó)德累斯頓的先進(jìn)的300mm生產(chǎn)線上的量產(chǎn)28nm平臺(tái)。
　　
　　該工藝建立在近20年對(duì)歐洲大的半導(dǎo)體晶圓廠的持續(xù)投資之上，掀開了“薩克森硅谷”發(fā)展*的一個(gè)新篇章。格羅方德半導(dǎo)體在德累斯頓為22FDX平臺(tái)投入了2.5億美元，用于技術(shù)研發(fā)和啟動(dòng)22FDX的生產(chǎn)，從而將公司自2009年以來對(duì)Fab1的總投資增至超過50億美元。公司還將加大投資提高生產(chǎn)力以滿足客戶需求。格羅方德半導(dǎo)體正與多家歐洲的研發(fā)和行業(yè)機(jī)構(gòu)開展合作，以便為22FDX建設(shè)一個(gè)強(qiáng)大的生態(tài)系統(tǒng)，縮短產(chǎn)品上市時(shí)間，并為其制定一個(gè)全面的路線圖。公司現(xiàn)提供設(shè)計(jì)入門套件和早期版本的工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），并將于2016下半年啟動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)。
　　
　　芯片供應(yīng)商力挺FD-SOI工藝
　　
　　STMicroelectronics運(yùn)營(yíng)官Jean-MarcChery表示：“格羅方德半導(dǎo)體的FDX平臺(tái)采用了一種先進(jìn)的FD-SOI晶體管結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)是雙方長(zhǎng)期合作的結(jié)晶。FD-SOI確認(rèn)并增強(qiáng)了這種工藝的強(qiáng)勁發(fā)展勢(shì)頭，拓展了生態(tài)系統(tǒng)，并確保了一個(gè)大批量供貨來源。FD-SOI可滿足物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和其它功耗敏感型設(shè)備保持永遠(yuǎn)在線和實(shí)現(xiàn)低功耗的理想工藝。”Freescale公司MCU事業(yè)群應(yīng)用處理器與先進(jìn)技術(shù)副總裁RonMartino表示：“Freescale的新一代i.MX7系列應(yīng)用處理器利用FD-SOI晶體管結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了各種業(yè)界、面向汽車、工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用的超低功耗、按需提供性能的解決方案。格羅方德半導(dǎo)體的22FDX平臺(tái)讓FD-SOI的量產(chǎn)能力突破了28nm，并一直在降低成本、提高性能和優(yōu)化功耗。”
　　
　　ARM實(shí)體IP設(shè)計(jì)事業(yè)部總經(jīng)理WillAbbey表示：“移動(dòng)設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備互聯(lián)的世界，依賴于在性能、功耗和成本上得到優(yōu)化的SoC。我們正與格羅方德半導(dǎo)體密切合作，提供用戶所需的IP生態(tài)系統(tǒng)，讓顧客從22FDX技術(shù)的獨(dú)特|價(jià)值中真正受益。”VeriSiliconHoldingsCo.Ltd.總裁兼執(zhí)行官WayneDai表示：“VeriSilicon擁有設(shè)計(jì)采用FD-SOI工藝的物聯(lián)網(wǎng)SoC的經(jīng)驗(yàn)，并且展示了FD-SOI在打造超低功耗和低能耗應(yīng)用方面的優(yōu)勢(shì)。我們期待與格羅方德半導(dǎo)體圍繞其22FDX平臺(tái)開展合作，推出各種面向智能手機(jī)、智能家庭、智能汽車和中國(guó)市場(chǎng)的功耗、性能和成本優(yōu)化設(shè)計(jì)。”ImaginationTechnologies營(yíng)銷執(zhí)行副總裁TonyKing-Smith表示：“可穿戴、物聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)和消費(fèi)等新一代聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，需要在性能、功耗和成本之間實(shí)現(xiàn)佳平衡的半導(dǎo)體解決方案。格羅方德半導(dǎo)體全新的22FDX工藝，結(jié)合Imagination廣泛的先進(jìn)IP組合——包括PowerVR多媒體方案、MIPSCPU和Ensigma通信解決方案等，將能有效協(xié)助彼此共同的客戶推出更多差異化的創(chuàng)新產(chǎn)品。”
　　
　　IBS，Inc.創(chuàng)始人兼執(zhí)行官HandelJones表示：“FD-SOI工藝可為可穿戴、消費(fèi)、多媒體、汽車和其它應(yīng)用提供一個(gè)多節(jié)點(diǎn)、低成本的路線圖。格羅方德半導(dǎo)體的22FDX將好的低功耗FD-SOI工藝集成到一個(gè)低成本、需求有望強(qiáng)勁增長(zhǎng)的平臺(tái)上。”CEA-Leti執(zhí)行官M(fèi)arieNo？lleSemeria表示：“FD-SOI可大幅提升性能，降低功耗，同時(shí)大程度減少對(duì)現(xiàn)有設(shè)計(jì)及制造方法的調(diào)整。通過合作，我們將能采用成熟、便捷的設(shè)計(jì)及制造技術(shù)，成功生產(chǎn)出格羅方德半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)技術(shù)互聯(lián)的22FDX平臺(tái)。”Soitec執(zhí)行官PaulBoudre表示：“格羅方德半導(dǎo)體發(fā)布的這條新聞是打造新一代低功耗電子設(shè)備的一個(gè)重要里程碑。我們很高興成為格羅方德半導(dǎo)體的戰(zhàn)略合作伙伴。我們的超薄SOI襯底已為22FDX投入量產(chǎn)做好一切準(zhǔn)備。”
　　
　　格羅方德半導(dǎo)體自完成對(duì)IBM微電子業(yè)務(wù)的收購(gòu)，是其獲得了一系列差異化技術(shù)，可用于增強(qiáng)其公司在軍用、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、大數(shù)據(jù)和高性能計(jì)算等主要增長(zhǎng)型市場(chǎng)中的產(chǎn)品組合，不僅鞏固了在邁向10nm、7nm以及更先進(jìn)的工藝之路上的地位，在全新的半導(dǎo)體工藝上，也推出了新一代聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的超低功耗要求的“22FDX”平臺(tái)，此平臺(tái)提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當(dāng)，為迅速發(fā)展的移動(dòng)、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡(luò)市場(chǎng)提供了一個(gè)佳解決方案。
　　
　　雖然某些設(shè)備對(duì)三維FinFET晶體管的性能有要求，但大多數(shù)無(wú)線設(shè)備需要在性能、功耗和成本之間實(shí)現(xiàn)更好的平衡。22FDX采用業(yè)內(nèi)22nm二維全耗盡平面晶體管技術(shù)（FD-SOI）工藝，為成本敏感型應(yīng)用提供了一條佳途徑。憑借業(yè)內(nèi)低的0.4伏工作電壓，該平臺(tái)實(shí)現(xiàn)了超低動(dòng)態(tài)功耗、更低的熱效應(yīng)和更為精巧的終端產(chǎn)品規(guī)格。該平臺(tái)提供的芯片尺寸比28nm工藝小20%，掩膜少10%，而且其浸沒式光刻層比f(wàn)oundryFinFET工藝少近50%，為聯(lián)網(wǎng)設(shè)備在性能、功耗和成本方面實(shí)現(xiàn)了佳組合點(diǎn)。