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　　前言：紅外技術(shù)的發(fā)展早在60年代初期有美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室研發(fā)成功，早期的紅外轉(zhuǎn)換效率只有5%，效率很低，多用在紅外遙控器等簡(jiǎn)單產(chǎn)品上。經(jīng)過(guò)在夜視應(yīng)用中的反復(fù)實(shí)踐和發(fā)展，通過(guò)把單個(gè)的紅外LED封裝組合起來(lái)，固定于鏡頭的四周，給監(jiān)控?cái)z像機(jī)成像進(jìn)行主動(dòng)補(bǔ)光。傳統(tǒng)的小功率LED是先用于紅外攝像機(jī)并現(xiàn)在仍在大量使用的一個(gè)紅外光光源，被業(yè)內(nèi)稱代傳統(tǒng)的LED，業(yè)界普通使用鼎元，其次有光磊的，效果更差還有韓系和日系燈芯，差的是國(guó)內(nèi)的許多俗稱散芯的燈芯。價(jià)格和質(zhì)量參差不齊。
　　
　　代LED的主要優(yōu)勢(shì)是價(jià)格優(yōu)勢(shì)，應(yīng)用廣泛。占有了目前紅外攝像機(jī)市場(chǎng)的95%的份額。但它的光衰快，壽命短，功率小等缺點(diǎn)是業(yè)界對(duì)紅外點(diǎn)陣攝像機(jī)不滿的主要原因。
　　
　　第二代：多點(diǎn)陣列LED
　　
　　多點(diǎn)陣列LED是集成了多顆小功率LED在一個(gè)小范圍內(nèi)，并作了“熱電分離”處理，使得整個(gè)零件能置于任意大小、任意形狀的散熱體上，從而解決了散熱標(biāo)題題目，不再會(huì)由于高溫而傷害了周邊其他電子元器件。又由于使用新的封裝材料，不會(huì)產(chǎn)生斷層而極大的減少了光衰減，壽命較傳統(tǒng)LED長(zhǎng)了1-10倍。但多點(diǎn)這里L(fēng)ED成本上比傳統(tǒng)LED高出了許多，為了配合攝像機(jī)鏡頭的角度而使用透鏡來(lái)縮小送光角度時(shí)，無(wú)可避免的有良多發(fā)光點(diǎn)偏離了透鏡的中央（俗稱：偏心現(xiàn)象）而造成送光效率不佳，以致相較于相同功率的傳統(tǒng)LED而言，“不夠亮”是其缺點(diǎn)。
　　
　　第三代：點(diǎn)陣紅外LED
　　
　　基于市場(chǎng)實(shí)踐的迫切需求，第三代點(diǎn)陣紅外在原有的LED紅外技術(shù)的基礎(chǔ)上，進(jìn)行一項(xiàng)革命性改進(jìn)，采用革新的半導(dǎo)體技術(shù)，經(jīng)過(guò)特殊封裝，形成大功率發(fā)光二極管陣列（LEDArray）。每顆LEDArray等同于60粒14MILLED發(fā)光晶體的亮度，顯著優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在體積，亮度，壽命，光電轉(zhuǎn)換，光均度、價(jià)格等方向。
　　
　　1、體積小
　　
　　由于LED-Array為高度集成的LED,體積很小。單個(gè)LED的光學(xué)輸出為5mw-15mw,而一個(gè)LED-Array的光學(xué)輸出達(dá)到了800mw-1000mw.體積小主要是便于應(yīng)用，同時(shí)簡(jiǎn)化成本。
　　
　　2、亮度高
　　
　　第三代點(diǎn)陣紅外采用4種元素的晶片而傳統(tǒng)的都是采用3元晶片。4元晶片發(fā)光是軸向發(fā)光，更利于光能的收集和聚光，配置以良好的導(dǎo)熱裝置，光電轉(zhuǎn)換率很高。高亮度決定了光線的照射距離，為第三代點(diǎn)陣紅外在中遠(yuǎn)距離紅外機(jī)的應(yīng)用打下了良好基礎(chǔ)。
　　
　　3、使用壽命長(zhǎng)普通
　　
　　LED產(chǎn)品的壽命一般為6000個(gè)小時(shí)，LED-Array的壽命為50000個(gè)小時(shí)，2-3年內(nèi)光線無(wú)明顯照度衰減。由于采用的新的封裝材料及散熱處理，大幅提升紅外攝像機(jī)的夜視壽命。