硅橡膠材料介質(zhì)損耗測試儀—硅橡膠絕緣材料介損測試
測試方法
根據(jù) GB/T1409-2006《測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法》可知對于介質(zhì)損耗 1%的精確度來說，試樣的厚度至少1.5mm，直徑為 100mm 或更大些，因而試驗材料選擇厚度 2mm、底面直徑 100mm的圓形清潔硅橡膠材料試片。采用符合不均勻電場的板-板電極系統(tǒng)測試平臺進行工頻 50Hz 的介質(zhì)損耗試驗，高、低壓電極都為銅質(zhì)圓板，高、低壓電極直徑均為 40mm，通過電極系統(tǒng)支座四個角落的螺栓可將電極之間的試品夾緊，對應的介損測試平臺如圖 3-5 所示。
為保證材料接觸的良好性，可在絕緣材料與電極之間墊上與電極面積相同的鋁箔紙，滿足良好的導電性。試驗之前預先用無水乙醇對所有的硅橡膠試樣進行清潔處理，待試樣表面的無水乙醇揮發(fā)干之后，在常溫 20℃的環(huán)境中對三種試樣進行測量，每種試樣的數(shù)量為 5 片。調(diào)節(jié)介質(zhì)損耗測量儀施加的工頻電壓為3kV，按住操作面板上的啟動按鈕開始加壓，待數(shù)據(jù)穩(wěn)定 30s 之后，讀取介質(zhì)損耗正切值 tanδ，試驗電壓、頻率可立刻讀取，干擾嚴重時不必讀取 tanδ的最后一位(十萬分之一位)，得到每種試樣在常溫 20℃的介質(zhì)損耗均值。
保持絕緣材料的固定，將整個測試平臺放入試驗箱中，調(diào)節(jié)低溫柜的溫度，待溫度穩(wěn)定后測量絕緣材料在低溫下的介質(zhì)損耗，溫度變化從 0℃開始依次降低10℃，直至-60℃，測量各個溫度點的不同 Al(OH)3 含量試樣的介質(zhì)損耗平均值，記錄數(shù)據(jù)并繪制固體絕緣材料試品的介質(zhì)損耗平均值與溫度之間的關(guān)系曲線。
硅橡膠材料介質(zhì)損耗測試儀符合標準：
GB/T1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法；
GB/T1693-2007硫化橡膠介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值的測定方法；
ASTM D150-11實心電絕緣材料的交流損耗特性和電容率（介電常數(shù)）的標準試驗方法；
GBT5594.4-2015電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測試方法；
參數(shù)：
1、測量范圍及誤差
本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃，相對濕度為30%-80%條件下，應滿足下列表中的技術(shù)指示要求。
在Cn=100 pF、R4=3183.2（Ω）時：
測量項目 | 測量范圍 | 測量誤差 |
電容量Cx | 40pF—20000pF | ±0.5% Cx±2pF |
介損損耗tgδ | 0-1 | ±1.5% tgδx±0.0001 |
在Cn=100 pF、R4=318.3（Ω）時：
測量項目 | 測量范圍 | 測量誤差 |
電容量Cx | 4pF—2000pF | ±0.5% Cx±3pF |
介損損耗tgδ | 0-0.1 | ±1.5% tgδx±0.0001 |
2.相對濕度/溫度：30～85%；0～40℃
3.工作電壓：220V10%，50HZ
4.測溫范圍：0～199.9℃，誤差1+0.1℃
5.控溫范圍：室溫～199.9℃，穩(wěn)定度（1+0.1）℃
6.由室溫加熱至控溫值：不大于45min
7.加熱功率:< 1000W（包括內(nèi)、外加熱器）
8.兩極空間距離：2mm
9.空杯電容量：60±2pF
10.最大測量電壓：工頻2000V
11.空杯tgδ：≤5×10-5
12.液體容量：約40mm3
13.電極材料：不銹鋼
14.重量：約10kg
15.型號：ZJD-87智德創(chuàng)新儀器）
