的瞬態(tài)光電導(dǎo)技術(shù)
QSSPC技術(shù)對(duì)于監(jiān)測多晶硅硅片，摻雜劑的擴(kuò)散，和低壽命樣本是理想的技術(shù)。這種方法補(bǔ)充了瞬態(tài)光電導(dǎo)技術(shù)的運(yùn)用。瞬態(tài)光電導(dǎo)技術(shù)在這臺(tái)設(shè)備上也是標(biāo)準(zhǔn)的。
QSSPC壽命測量
QSSPC壽命測量也產(chǎn)生隱含的開路電壓（與lllumination)曲線，這可以與an1-v曲線在太陽能電池過程的各個(gè)階段進(jìn)行比較。
優(yōu)秀的軟件數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)
Sinton設(shè)備的分析能為每個(gè)晶片產(chǎn)生校準(zhǔn)載流子注入水平，所以你可以以一個(gè)物理上的方式解讀壽命數(shù)據(jù)。每次測量都會(huì)顯示和記錄特定的參數(shù)。
WCT系統(tǒng)功能
單擊即可鎖定晶硅片的關(guān)鍵參數(shù)，包括方塊電阻、少子壽命、陷阱密度、發(fā)射極飽和電流密度和暗電壓
?制造過程的逐步監(jiān)測和優(yōu)化
?監(jiān)測初始材料質(zhì)量
?晶片加工過程中檢測重金屬雜質(zhì)
?評(píng)估表面鈍化和發(fā)射極摻雜擴(kuò)散
?使用隱含V測量評(píng)估過程引起的分流
| 項(xiàng)目 | 內(nèi)容 |
|---|---|
| 測量參數(shù) | 少子壽命、電阻率、發(fā)射極飽和電流密度、陷阱濃度、標(biāo)準(zhǔn)太陽下Voc |
| 壽命測量范圍 | 100nm-10ms |
| 測量（分析）模式 | QSSPC，瞬態(tài)和歸一化壽命分析 |
| 電阻率測量范圍 | 3-600（未摻雜）Ohms/sq |
| 可得到的偏壓范圍 | 0-50suns |
| 可得到的光譜 | 白光和紅外光 |
| 感應(yīng)范圍 | 直徑40mm |
| 樣品尺寸，標(biāo)準(zhǔn)配置 | 標(biāo)準(zhǔn)直徑：40-230mm |
| 硅片厚度范圍 | 10-2000um |
