氧化鋅（ZnO）材料半導體晶體
主要性能參數(shù) | |
晶體結(jié)構(gòu) | 六方 |
晶格常數(shù) | a=3.252Å c=5.313 Å |
密度 | 5.7（g/cm3） |
硬度 | 4（mohs） |
熔點 | 1975℃ |
熱膨脹系數(shù) | 6.5 x 10-6 /℃//a 3.7 x 10-6 /℃//c |
熱 容 | 0.125 cal /g.m |
熱電常數(shù) | 1200 mv/k @ 300 ℃ |
熱 導 | 0.006 cal/cm/k |
透過范圍 | 0.4-0.6 um > 50% at 2mm |
晶向 | <0001>、<11-20>、<10-10>±0.5º |
尺寸（mm） | 25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm 可按照客戶需求，定制方向和尺寸的襯底 |
表面粗糙度 | Surface roughness(Ra):<=5A |
拋光 | 單面或雙面 |
供應(yīng)產(chǎn)品目錄：
| Ta2NiS5 晶體 | >10平方毫米 |
| Cr2Si2Te6 晶體 | >25平方毫米 |
| 鈷磷硫 CoPS3 二維晶體 | >50平方毫米 |
| 鉻磷硫 CrPS4 二維晶體 | >10平方毫米 |
| Ta2NiTe5 晶體 | >25平方毫米 |
| Ta2NiSe5 晶體 | >50平方毫米 |
| TaNiS5晶體 | >50平方毫米 |
| PbSnSe2 晶體 | >50平方毫米 |
| PbSnS2 晶體 | >10平方毫米 |
| CuInP2S6晶體 | >25平方毫米 |
| CuIn7Se11 晶體 | >50平方毫米 |
| CuCrP2S6 晶體 | >10平方毫米 |
| Cr2Si2Te6 晶體 | >25平方毫米 |
| Cr2Ge2Te6 晶體 | >50平方毫米 |
| Bi2O2Se晶體 | >25平方毫米 |
| NiPS3 晶體 | >50平方毫米 |
| MnPSe3 晶體 | >10平方毫米 |
| MnPS3 晶體 | >10平方毫米 |
| FePSe3 晶體 | >50平方毫米 |
| FePS3 晶體 | （單層和多層 ）厚度可定制 |
| CrI3 碘化鉻晶體 | >25平方毫米 |
溫馨提示：西安齊岳生物供應(yīng)產(chǎn)品用于科研，不能用于人體
yyp2021.6.24
氧化鋅（ZnO）材料半導體晶體
