鈮酸鋰（LiNbO3）非線性光學晶體
LiNbO3是非線性光學級晶體，應(yīng)用于參量振蕩器、倍頻、聲光器件、光學調(diào)制器。
主要性能參數(shù) | |||
生長方法 | 提拉法 | ||
晶體結(jié)構(gòu) | 三方 | ||
晶格常數(shù) | a=b=5.148Å c=13.863 Å | ||
熔點（℃） | 1250 | ||
居里溫度 | 1140℃ | ||
密度（g/cm3） | 4.64 | ||
硬度 | 5（mohs） | ||
光譜透過波長 | 0.4-2.9um | ||
射率 | no=2.286 ne=2.203 （632.8nm） | ||
非線性系數(shù) | d33=34.45，d31=d15=5.95，d22=13.07 （pmv-1） | ||
電光系數(shù) | γ13=8.6，γ22=3.4，γ33=30.8，γ51=28.0，γ22=6.00（pmv-1） | ||
光譜透過范圍 透過率 | 370～5000nm >68% （632.8nm） | ||
熱膨脹系數(shù) | a11=15.4×10-6/k，a33=7.5×10-6/k | ||
尺寸 | 等于或小于Ø3″ | 表面質(zhì)量 | 10/5 |
尺寸公差 | Z軸： ±0.3mm | 平 面 度 | v8 （632.8nm） |
倒 角 | 小于0.5mm，45 º±5 º | 鍍 膜 | R<0.2%（1064nm） |
晶向精度 | Z軸： 5′ | 波前畸變 | <N4（633nm） |
平 行 度 | <10′ | 消 光 比 | >400:1(633nm)φ6mm光束 |
供應(yīng)產(chǎn)品目錄：
| ReSe2 二硒化錸晶體 | (Rhenium Diselenide) |
| P型硒化鉍晶體 p-type Bi2Se3 crystals | p-type Bi2Se3 crystals |
| P型二硒化鎢晶體p-type WSe2 crystals | p-type WSe2 crystals |
| N型二硒化鉬晶體n-type MoSe2 crystals | n-type MoSe2 crystals |
| N型硒化鉍晶體n-type Bi2Se3 crystals | n-type Bi2Se3 crystals |
| MoSSe 硒化硫鉬晶體 | (Molybdenum Sulfide Selenide) |
| ZnPSe3 crystals 硒化磷鋅晶體 | ZnPSe3 crystals |
| PtSe2 二硒化鉑晶體 | (Platinum Diselenide) |
| NbSe2 crystals 二硒化鈮晶體 | NbSe2 crystals |
| MoSe2 二硒化鉬晶體 | (Molybdenum Diselenide) |
| In2Se3 crystals 三硒化二銦晶體 | In2Se3 crystals |
| GeSe 硒化鍺晶體 | (Germanium Selenide) |
| GaSe 硒化鎵晶體 | (Gallium Selenide) |
| p-type MoSe2 crystals P型二硒化鉬晶體 | p-type MoSe2 crystals |
| SnSe 硒化錫晶體 | (Tin Selenide) |
| InSe 硒化銦晶體 | (Indium Selenide) |
| CoSe2 硒化鈷晶體 | (Cobalt diselenide) |
| VSe2 二硒化礬晶體 | (Vanadium Diselenide) |
| FeSe 硒化鐵晶體 | (Iron Selenide) |
| PtSe2 二硒化鉑晶體 | (Platinum Diselenide) |
| PbGa2Se4 crystals 硒化鎵鉛晶體 | PbGa2Se4 crystals |
| TlSe 硒化晶體 | (Thalium Selenide) |
| MoWTe2 二硒化鎢鉬晶體 | (Molybdenum tungsten ditelluride) |
| I2 intercalated WSe2 二硒化鎢晶體（碘） | I2 intercalated WSe2 |
| ReNbSe2 Crystals 二硒化鈮錸晶體 | ReNbSe2 Crystals |
溫馨提示：西安齊岳生物供應(yīng)產(chǎn)品用于科研，不能用于人體
yyp2021.6.24
鈮酸鋰（LiNbO3）非線性光學晶體
