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行業(yè)產(chǎn)品

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深圳市泰凌微電子有限公司


JFG105N100L

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產(chǎn)品型號

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)代理商

所  在  地深圳市

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更新時間:2025-06-13 09:06:23瀏覽次數(shù):27次

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經(jīng)營模式:代理商

商鋪產(chǎn)品:198條

所在地區(qū):廣東深圳市

聯(lián)系人:AnitaZhou (商務經(jīng)理)

產(chǎn)品簡介

中科君芯JFG105N100L 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ?是一種電子元件,主要用于電子設備的功率控制。其工作原理基于增強型MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)源極和漏極之間的導電通道,從而實現(xiàn)電流的控制。主要應用在消費適配器

詳細介紹

中科君芯JFG105N100L 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ?是一種電子元件,主要用于電子設備的功率控制。其工作原理基于增強型MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)源極和漏極之間的導電通道,從而實現(xiàn)電流的控制。主要應用在消費適配器、電子工具和DC/DC 轉(zhuǎn)換器。

功能特性:

• 設備額定電壓VDS:=100V,連續(xù)工作時漏極電流上限 ID = 105A

• 導通電阻=8mΩ (typ.) 柵源電壓= 10V, 漏極電流 = 20A

• 專有高密度溝槽技術(shù)

•符合RoHS和無鹵素 (不含鹵素或鹵素含量極低的材料或產(chǎn)品)

封裝:DFN 5*6-8L

參數(shù):

?VDS(Drain-Source Voltage)?:100V

?VGS(Gate-Source Voltage)?:±20V

?ID(Continuous Drain Current)?:Tc=25°對應漏極電流上限100A,Tc=100°對應漏極電流上限值66A

?IDM(Pulsed Drain Current):420A

PD(Total Power Dissipation)?:TC = 25℃ 對應208W,TA = 25℃對應2.08W

EAS單脈沖雪崩能量:161mJ

RθJA(Junction to Ambient (mounted on 1 inch square PCB)熱阻:60°C\W

RθJC:結(jié)到殼的熱阻:0.6°C\W

?TJ?\TSTG?:-55 to +150°C

注:電氣特性 除非另有說明,TC=25℃,

1.數(shù)據(jù)在帶有2OZ銅的FR-4板上進行測試。

2.數(shù)據(jù)在脈沖下測試,脈沖寬度≦300,占空比≦2%。

3.EAS數(shù)據(jù)顯示額定值。測試條件為L=0.1mH,IAS=567A。

4.功率損耗受150℃結(jié)溫限制。

5.理論上,數(shù)據(jù)與ID和IDM相同,在實際應用中,應受功率損耗限制。

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關鍵詞:轉(zhuǎn)換器

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