中科君芯JFG105N100L 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ?是一種電子元件,主要用于電子設備的功率控制。其工作原理基于增強型MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)源極和漏極之間的導電通道,從而實現(xiàn)電流的控制。主要應用在消費適配器、電子工具和DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
功能特性:
• 設備額定電壓VDS:=100V,連續(xù)工作時漏極電流上限 ID = 105A
• 導通電阻=8mΩ (typ.) 柵源電壓= 10V, 漏極電流 = 20A
• 專有高密度溝槽技術(shù)
•符合RoHS和無鹵素 (不含鹵素或鹵素含量極低的材料或產(chǎn)品)
封裝:DFN 5*6-8L
參數(shù):
?VDS(Drain-Source Voltage)?:100V
?VGS(Gate-Source Voltage)?:±20V
?ID(Continuous Drain Current)?:Tc=25°對應漏極電流上限100A,Tc=100°對應漏極電流上限值66A
?IDM(Pulsed Drain Current):420A
PD(Total Power Dissipation)?:TC = 25℃ 對應208W,TA = 25℃對應2.08W
EAS單脈沖雪崩能量:161mJ
RθJA(Junction to Ambient (mounted on 1 inch square PCB)熱阻:60°C\W
RθJC:結(jié)到殼的熱阻:0.6°C\W
?TJ?\TSTG?:-55 to +150°C
注:電氣特性 除非另有說明,TC=25℃,
1.數(shù)據(jù)在帶有2OZ銅的FR-4板上進行測試。
2.數(shù)據(jù)在脈沖下測試,脈沖寬度≦300,占空比≦2%。
3.EAS數(shù)據(jù)顯示額定值。測試條件為L=0.1mH,IAS=567A。
4.功率損耗受150℃結(jié)溫限制。
5.理論上,數(shù)據(jù)與ID和IDM相同,在實際應用中,應受功率損耗限制。
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