半導(dǎo)體光刻膠/LCD 光刻膠/PCB 光刻膠-齊岳廠家

    光刻是將電路圖形由掩膜版轉(zhuǎn)移到硅片上，為后續(xù)刻蝕工藝做準(zhǔn)備的過程。光刻是 IC 制造過程中耗時(shí)較長(zhǎng)、 難度較大的工藝之一，耗時(shí)占 IC 制造 50%，成本占 IC 制造 1/3。在一次芯片制造中，往往要對(duì)硅片進(jìn)行上十次 光刻，其主要流程為清洗、涂膠、前烘、對(duì)準(zhǔn)、曝光、后烘、顯影、刻蝕、光刻膠剝離、離子注入等。在光刻 過程中，需在硅片上涂一層光刻膠，經(jīng)紫外線曝光后，光刻膠的化學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化，通過顯影后，被曝光的光刻膠將被，電路圖形由掩膜版轉(zhuǎn)移到光刻膠上，再經(jīng)過刻蝕工藝，實(shí)現(xiàn)電路圖形由光刻膠轉(zhuǎn)移到硅片上。

光刻膠是光刻工藝較重要的耗材，光刻膠的質(zhì)量對(duì)光刻精度至關(guān)重要。光刻膠是指通過紫外光、準(zhǔn)分子激 光、電子束、離子束、X 射線等光源的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的刻材料。由于光刻膠具有光化學(xué) 敏感性和防腐蝕的保護(hù)作用，因此經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工藝，可以將微細(xì)電路圖形從掩膜版轉(zhuǎn)移到硅片。雖然光刻膠制造成本低，但是壁壘高，，難以保存。

光刻過程示意圖

光刻膠是光刻工藝較重要的耗材，光刻膠的質(zhì)量對(duì)光刻精度至關(guān)重要。光刻膠是指通過紫外光、準(zhǔn)分子激 光、電子束、離子束、X 射線等光源的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的刻材料。由于光刻膠具有光化學(xué) 敏感性和防腐蝕的保護(hù)作用，因此經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工藝，可以將微細(xì)電路圖形從掩膜版轉(zhuǎn)移到硅片。雖然光刻膠制造成本低，但是壁壘高，，難以保存。

光刻過程示意圖

光刻膠的主要成分有光刻膠樹脂、感光劑、溶劑和添加劑。光刻膠樹脂是一種惰性的聚合物基質(zhì)，是用來 將其它材料聚合在一起的粘合劑；光刻膠的粘附性、膠膜厚度等性質(zhì)都是由樹脂決定的。感光劑是光刻膠的核 心部分，它對(duì)光形式的輻射能，是在紫外區(qū)光的輻射能會(huì)發(fā)生反應(yīng)；曝光時(shí)間、光源所發(fā)射光線的強(qiáng)度都 和感光劑的性質(zhì)直接相關(guān)。溶劑是光刻膠中容量較大的成分；因?yàn)楦泄鈩┖吞砑觿┒际枪虘B(tài)物質(zhì)，為了將他們 均勻地涂覆，要將它們加入溶劑進(jìn)行溶解，形成液態(tài)物質(zhì)，且使之具有的流動(dòng)性，可以通過旋轉(zhuǎn)方式涂布 在晶圓表面。添加劑可以用以改變光刻膠的某些性質(zhì)，如可以通過添加染色劑來光刻膠，使其發(fā)生反射。

光刻膠的品種多種多樣，基于感光樹脂的化學(xué)結(jié)構(gòu)，按可分為光聚合型、光分解型、光交聯(lián)型三種。另外，正性和負(fù)性光刻膠是光刻膠的兩個(gè)重要品類，光照后形成可溶物質(zhì)的為正性膠，形成不可溶物質(zhì)的為負(fù) 性膠。由于性能較優(yōu)，正性光刻膠應(yīng)用更廣，但由于光刻膠需求量大，負(fù)性膠仍有的應(yīng)用市場(chǎng)。

產(chǎn)品供應(yīng)：

上述產(chǎn)品可定制，齊岳生物均可供應(yīng)！

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