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更新時(shí)間:2025-03-02 08:55:57瀏覽次數(shù):73次
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在晶圓制造時(shí),黃光站將Wafer光刻、曝光顯影后會(huì)進(jìn)行套刻的偏移量測(cè)量,將測(cè)量的數(shù)據(jù)反向?qū)胙a(bǔ)償至光刻機(jī)內(nèi),優(yōu)化晶圓光刻工藝穩(wěn)定性以達(dá)到客戶對(duì)產(chǎn)品的需求。 |
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在Wafer制造時(shí),多道工序會(huì)對(duì)Die的關(guān)鍵外形尺寸進(jìn)行把控,SuperView軟件自動(dòng)捕捉Die特征邊緣,同時(shí)進(jìn)行高效精準(zhǔn)測(cè)量,幫助客戶在更短的時(shí)間內(nèi),達(dá)到更高的良率,維持良率的穩(wěn)定性。 |
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Wafer制造時(shí),前道黃光工序后需要測(cè)量芯粒下底槽間的寬度來(lái)確定各芯粒間的偏移量是否合格,自動(dòng)選取多條拋線得到穩(wěn)定平均值,從而調(diào)整曝光機(jī)參數(shù)以達(dá)到工藝要求。 |
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重建晶圓的局部3D圖像,根據(jù)提供的線寬尺寸和刻蝕深度,提取刻線的剖面輪廓進(jìn)行分析,可判斷線槽輪廓的完整性和進(jìn)行底部缺陷的觀察。 |
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在劃片工藝的鐳射工序后,進(jìn)行鐳射U型槽的槽深度和寬度檢測(cè),可自定義剖面寬度取剖面輪廓的均值曲線,求取槽深寬的平均值,根據(jù)測(cè)出的槽深和槽寬,調(diào)整鐳射機(jī)的參數(shù)以便符合工藝要求。 |
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