超高精度和最小化探針針尖變量的亞埃米級(jí)表面粗糙度測(cè)量，晶圓的表面粗糙度對(duì)于確定半導(dǎo)體器件的性能是至關(guān)重要的，對(duì)于的元件制造商，芯片制造商和晶圓供應(yīng)商都要求對(duì)晶圓商超平坦表面進(jìn)行更精確的粗糙度控制，通過提供低于0.5埃 的業(yè)界低噪音，并將與其真正的非接觸式是模式相結(jié)合，Park NX-Wafer能夠可靠地獲得具有最小針尖變量的亞埃米級(jí)粗糙度測(cè)量，Park的串?dāng)_消除還允許非常平坦的正交XY掃描，不會(huì)有背景曲率，及時(shí)在最平坦的表面上，也不需要過多考慮掃描位置，速率和大小，這使得其非常精確和可重復(fù)地對(duì)微米級(jí)粗糙度到長(zhǎng)范圍不平整表面進(jìn)行測(cè)量。帕克的智能ADR技術(shù)提供全自動(dòng)的缺陷檢測(cè)和識(shí)別，使得關(guān)鍵的在線過程能夠通過高分辨3D成像對(duì)缺陷類型進(jìn)行分類并找出他們的來源，智能ADR專門為半導(dǎo)體工業(yè)設(shè)計(jì)提供的缺陷檢測(cè)解決方案，具有自動(dòng)目標(biāo)定位，且不需要經(jīng)常損壞樣品的密集參考標(biāo)記，與傳統(tǒng)的缺陷檢測(cè)方法相比，智能ADR過程提高了1000%的生產(chǎn)率，此外，帕克具有創(chuàng)造性True-Contact模式AFM技術(shù)，使得新ADR有能力提高20倍的更長(zhǎng)的探針壽命。
工業(yè)的低噪聲帕克原子力顯微鏡于長(zhǎng)距離滑動(dòng)臺(tái)相結(jié)合，成為用于化學(xué)機(jī)械拋光計(jì)量的原子力輪廓儀，新的低噪聲AFP為局部和全面均勻性測(cè)量提供了非常平坦的輪廓掃描，具有輪廓掃描精度和市場(chǎng)可重復(fù)性，這保證在寬范圍的輪廓量程上沒有非線性或高噪聲背景去除的高精度測(cè)量。
主要技術(shù)特點(diǎn)
200 mm電動(dòng)XY平臺(tái) | 300 mm電動(dòng)XY平臺(tái) | 電動(dòng)Z平臺(tái) |
行程可達(dá)275mm x 200mm, 0.5 μm分辨率 | 行程可達(dá)400 mm x 300 mm， 0.5μm分辨率 | 25 mm Z行程距離 0.08μm 分辨率 |
電動(dòng)聚焦平臺(tái) | 樣品厚度 | COGNEX圖像識(shí)別 |
8mm 行程Z軸光學(xué)距離 | 厚至 20mm | 圖像校正分辨率1/4 pixel |
200mm 系統(tǒng) | 300mm 系統(tǒng) | 設(shè)備需求環(huán)境 |
2732mm x1100mm x 2400 mm 大約2110kg 操作員空間:3300mm x 1950mm | 3486mm x 1450 mm x 2400 mm 大約2950 kg 操作員空間: 4770mm x 3050 mm | 室溫10 ℃~40 ℃ 操作18 ℃~24 ℃ 濕度 30%~60% |
主要功能
1.晶圓和基底的自動(dòng)缺陷檢測(cè)
新的300mm光片ADR提供了從缺陷映射的坐標(biāo)轉(zhuǎn)換和校正缺陷的測(cè)量和放大掃描成像的全自動(dòng)缺陷復(fù)查過程，不需要樣品晶圓做任
何的標(biāo)記，
2.亞埃米級(jí)表面粗糙度控制
通過在整個(gè)晶圓區(qū)域提供低于0.5埃的業(yè)界噪音下線，可以對(duì)最平坦的基底和晶圓進(jìn)行精確，可重復(fù)和可再現(xiàn)的亞埃米級(jí)粗
糙度測(cè)量，并最小化針尖的變量，即使對(duì)掃描尺寸達(dá)到100μm x 100 μm的遠(yuǎn)距離波長(zhǎng)，也能夠獲得非常精確和可重復(fù)的表面測(cè)
量
3.CMP進(jìn)行表征的長(zhǎng)范圍輪廓掃描
Park NX-Wafer 實(shí)現(xiàn)了的CMP測(cè)量，包括凹陷、侵蝕和邊緣過度侵蝕（EOE）的局部和局部的平坦度測(cè)量。
應(yīng)用
線寬測(cè)量
超光滑材料表面粗糙度測(cè)量
晶圓缺陷自動(dòng)檢測(cè)應(yīng)用
相關(guān)文獻(xiàn)
Ardavan Zandiatashbar; et al.“Automated AFM for small-scale and large-scale surface profiling in CMP applications” Proc. SPIE 10585, Metrology, Inspection, and Process Control for Microlithography XXXII, 105852U (13 March 2018)
