菏澤碳化硅防腐廠家  

碳化硅基本特性

   碳化硅具有α和β兩種晶型。β-碳化硅的晶型結(jié)構(gòu)是立體晶系，硅和碳分別組成面心立體晶格，碳化硅的原子間距為0.1888nm，α-碳化硅存在著4H、15R和6H等100余種多型體，其中，6H多型體在工業(yè)上工業(yè)上應(yīng)用廣泛。在6H碳化硅中，硅與碳交替成層狀堆積，硅層間或碳層間的距離為0.25nm，碳化硅的原子間距約為0.19nm。

在碳化硅的兩種晶型之間存在一定的熱穩(wěn)定性關(guān)系。溫度低于1600℃時(shí)，碳化硅以β-碳化硅存在；溫度高于1600℃時(shí)，β碳化硅通過(guò)再結(jié)晶緩慢轉(zhuǎn)變成α碳化硅的各種型體（4H、6H、15R等）。4H碳化硅在2000℃左右容易生成;而15R和6H多型體均需在2100℃以上才能生成，但15R的熱穩(wěn)定性比6H多型體差，對(duì)于6H碳化硅，即使溫度超過(guò)2200℃也非常穩(wěn)定。

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碳化硅的硬度高、彈性模量大，具有優(yōu)良的耐磨損性能。純的碳化硅不會(huì)被氧化碳、氧化硅和氧化氟等酸溶液以及氧化鈉等堿溶液所侵蝕，但在空氣中加熱時(shí)會(huì)發(fā)生氧化反應(yīng)。值得指出的是，在干燥的高溫環(huán)境中，溫度超過(guò)900℃時(shí)，碳化硅表面會(huì)生成一種致密的、緩慢生長(zhǎng)的二氧化硅膜，這層膜抑制了氧的進(jìn)一步擴(kuò)散，使其具有優(yōu)異的抗氧化性能。在電性能方面，碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的核心之一，具有很多優(yōu)點(diǎn)，如帶隙寬、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速率大、化學(xué)穩(wěn)定性好等，非常適于制作高溫、高頻、抗輻射、大功率和高密度集成的電子器擁。此外碳化硅還具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性和吸波特性。

 
材料性能 
  A、APC雜化聚合結(jié)構(gòu)層使用的是有機(jī)——無(wú)機(jī)雜化聚合材料，是一種高交聯(lián)密度的三維空間立體結(jié)構(gòu)防腐蝕材料。   B、APC雜化聚合結(jié)構(gòu)層耐溫性：-40～260℃，在高溫下能維持材料特性；   C、高耐蝕性、高耐磨性、非常好的柔韌性，是繼酚醛樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、乙烯基酯樹(shù)脂不同發(fā)展階段后的新階段；   D、APC雜化聚合結(jié)構(gòu)層采用納米封孔技術(shù)，