信息技術(shù)設(shè)備靜電放電敏感度試驗(yàn)SJ20154--92 上
中華人民共和國(guó)電子行業(yè)軍用標(biāo)準(zhǔn)
信息技術(shù)設(shè)備靜電放電敏感度試驗(yàn)SJ20154--92
Electrostaticdischargesusceptibilitytesting
forinformationtechnologyequipment
1范圍
1．1主題內(nèi)容
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了信息技術(shù)設(shè)備靜電放電敏感度極限值和試驗(yàn)方法。
1．2適用范圍
本標(biāo)準(zhǔn)適用于在一般工作環(huán)境中工作的信息技術(shù)設(shè)備。
2引用文件
GJB72電磁干擾和電磁兼容性名詞術(shù)語(yǔ)
GB6833電子測(cè)量?jī)x器電磁兼容性試驗(yàn)規(guī)范
3定義
3．1信息技術(shù)設(shè)備（1TE）information technology equipment
為下列用途而設(shè)計(jì)的一種設(shè)備：
a．從外部數(shù)據(jù)源（例如數(shù)據(jù)輸入線路或通過(guò)鍵盤）接收數(shù)據(jù)；
b．對(duì)所接收的數(shù)據(jù)進(jìn)行某些處理（例如計(jì)算，數(shù)據(jù)變換或記錄，文件匯集、分類、儲(chǔ)存、數(shù)據(jù)傳送）；
c．提供數(shù)據(jù)輸出（送到其它設(shè)備，或者通過(guò)數(shù)據(jù)的再生或圖象輸出）。
這種設(shè)備包括那些產(chǎn)生多種周期性二進(jìn)制脈沖型電氣（或電子）單元或系統(tǒng)，它們被用來(lái)完成諸如文字處理、電子計(jì)算、數(shù)據(jù)交換、記錄、文件匯集、分類、存儲(chǔ)、檢索和傳送以及將數(shù)據(jù)再生為圖象等功能。
3．2降級(jí)degradation
降級(jí)是由于靜電干擾使受試設(shè)備（EUT）的工作性能發(fā)生不應(yīng)有的變化。這里不包括人為故障或突然失效。
3．3儲(chǔ)能電容器energy storage capacitor
靜電發(fā)生器電容，其值相當(dāng)于充電到人體電壓值的人體等效電容值。
3．4靜電放電（ESD）electrostatic discharge
兩個(gè)具有不同靜電電位的物體，由于直接接觸或靜電場(chǎng)感應(yīng)引起的兩物體間的靜電電荷實(shí)施的轉(zhuǎn)移。
3．5耦合板couplingplane
金屬片或板，在其上面放電以模擬靠近EUT的靜電放電。
3．6保持時(shí)間holdingtime
在放電之前，由于泄漏使電壓值降低lo％所需的時(shí)間間隔。
3．7接觸放電方法contactdischargemethod
在本方法中，ESD信號(hào)源放電電極與EUT固定接觸，放電實(shí)施由ESD信號(hào)源中的放電開(kāi)關(guān)控制。
3．8空間放電方法air山schargemethod
本方法中，ESD信號(hào)源的放電電極接近EUT，放電由EUT與放電電極間的間隙控制。
3．9直接放電directapplication
直接在EUT上進(jìn)行放電。
3．10間接放電in山rectapplication
在接近EUT的耦合板上進(jìn)行放電，用來(lái)模擬在靠近EUT的物體上的放電。
4一般要求
4. 1標(biāo)準(zhǔn)的大氣條件
試驗(yàn)室內(nèi)試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)大氣條件應(yīng)滿足下列要求：
a．環(huán)境溫度：10～35℃；
b．相對(duì)濕度，30％～60％；
c．大氣壓：68—106kPa。
注：超過(guò)此范圍的其它值必須得到制造廠、用戶和試驗(yàn)室的認(rèn)可。
4.2電磁環(huán)境
試驗(yàn)室內(nèi)的電磁環(huán)境不應(yīng)影響測(cè)試結(jié)果。
5詳細(xì)要求
5．1靜電放電敏感度極限值
靜電放電敏感度極限值見(jiàn)表1。
| 試驗(yàn)電壓等級(jí) | 接觸放電測(cè)試電壓 KV
| 空間放電測(cè)試電壓 KV
| EUT失效判據(jù)
|
| 1
| 2
| 4
| 見(jiàn)5.7.1a
|
| 2
| 4
| 8
| 見(jiàn)5.7.1b
|
| 2
| 6
| 12
| 見(jiàn)5.7.1c
|
| X
| 另行規(guī)定
| 另行規(guī)定
| 由產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定 |
表1 靜電放電敏感度極限值
5．2 設(shè)備要求
5．2．1 ESD信號(hào)源
ESD信號(hào)源示意圖見(jiàn)圖1。
圖1靜電放電信號(hào)的基本電路
5．2．1．1ESD信號(hào)源的參數(shù)
a．能量存儲(chǔ)電容（Ca和Cd）150pF土10％；
b．放電電阻（Rd）330n士10％；
c．充電電阻（Rch）50—100Mn；
d.源電壓20kV；
e．電壓顯示允許誤差土5％，
f．保持時(shí)間zui短5s；
g．放電方式單次放電（時(shí)間間隔至少1s）和連續(xù)放電
h．放電電流波形參數(shù)：見(jiàn)表2和圖2。
注：1）Cd為雜散電容．
2）在放電能量存60電容器上測(cè)得的開(kāi)路電壓．
3）為了滿足初測(cè)要求，ESD信號(hào)源重復(fù)頻率至少20次／s。
表2放電電流波形參數(shù)
| 放電電壓 等級(jí)
| 電壓幅度 kv
| 放電電流*峰值 A±10%
| 上升時(shí)間（tr） ns
| 30ns時(shí) 電流值 A±30%
| 60ns時(shí) 電流值 A±30%
|
| 1
| 2
| 7.5
| 0.7-1
| 4
| 2
|
| 2
| 4
| 15
| 0.7-1
| 8
| 4
|
| 3
| 6
| 22.5
| 0.7-1
| 12
| 6 |
圖2靜電放電電流波形
5．2．1．2ESD信號(hào)源的電磁兼容性要求
ESD信號(hào)源應(yīng)滿足GB6833的要求，以保證EUT或輔助測(cè)試設(shè)備不受寄生效應(yīng)的影響。
5.2．1．3ESD信號(hào)源的結(jié)構(gòu)要求
a．能量存儲(chǔ)電容器（如果是獨(dú)立元件），放電電阻和放電開(kāi)關(guān)盡可能靠近放電電極，放電電極的尺寸由圖3和圖4給出。
b．獨(dú)立的能量存儲(chǔ)電容器的放電回路電纜長(zhǎng)度約為2m，以保證ESD信號(hào)源的放電波形滿足圖2的要求。電纜表層應(yīng)提供足夠的絕緣以防止放電電流不通過(guò)放電電極而通過(guò)操作人員或?qū)w表面流動(dòng)．在ESD測(cè)試中，這根放電回路電纜應(yīng)與參考接地平板相連，當(dāng)放電電纜的長(zhǎng)度超過(guò)需要時(shí)，如果可能，其超長(zhǎng)部分應(yīng)置于無(wú)感的接地平板之外，并且和測(cè)試設(shè)備其它導(dǎo)電平面的距離大于0．2m。
5．2．2對(duì)監(jiān)測(cè)設(shè)備的要求
使用監(jiān)測(cè)設(shè)備以鑒別EUT所受的功能性干擾．應(yīng)注意，外部監(jiān)測(cè)設(shè)備如果和EUT的電路部分直接相連，可能導(dǎo)致錯(cuò)誤的測(cè)試結(jié)果。因此，應(yīng)將EUT盡可能遠(yuǎn)離驅(qū)動(dòng)和監(jiān)測(cè)設(shè)備放置，以使其相互隔離（例如將其移到隔離的屏蔽間內(nèi)）。
如果上述措施不可行，必須保證測(cè)量和監(jiān)測(cè)設(shè)備具有足夠的抗擾度，以防止臨近的ESD對(duì)測(cè)試產(chǎn)生影響。
5．3EUT工作狀態(tài)
EUT應(yīng)在可對(duì)該設(shè)備的敏感度進(jìn)行正確評(píng)價(jià)的狀態(tài)下工作。測(cè)試程序和軟件應(yīng)使EUT在所有的正常工作方式下運(yùn)行。推薦采用在正常工作方式下能使EUT全面運(yùn)行的特殊的運(yùn)行軟件。為了使測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確，EUT應(yīng)在預(yù)先確定的所有敏感狀態(tài)下連續(xù)工作。
5．3．1顯示設(shè)備
采用和發(fā)射測(cè)試相同的圖形，如滿屏顯示字符“H”。如果具有圖形支持，可以選用相間的豎線、同心圓或翻轉(zhuǎn)的棋盤格等測(cè)試圖形。
5．3．2打印設(shè)備·
使用規(guī)定用于顯示設(shè)備的圖形，對(duì)于繪圖儀測(cè)試可以使用水平和垂直線組成的柵格、交叉線、圓或它們的組合圖形。
5．3．3硬盤
硬盤單元通常使用能夠滿足測(cè)試程序要求的固化程序。
5．3．4主存儲(chǔ)設(shè)備
主存儲(chǔ)設(shè)備在測(cè)試時(shí)交替讀寫其保持的存儲(chǔ)信息。
5．3．5*處理器
*處理器應(yīng)按分類、檢索、計(jì)算或上述三種狀態(tài)交替運(yùn)行。
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