ESD分析Part（3）
--靜電失效判定
芯片失效要依據(jù)測試的結(jié)果來判定，測試的方法應(yīng)芯片的不同也有所差異，分析的手段也
是多種多樣。這里順便介紹一種IC測試中常用的方法，是廣泛使用而且相對直觀的分析
方法之一，就是微光顯微鏡分析。本中“latch-up分析”中開始時的照片就是通過此
種方法得到的。
微光顯微鏡具有*的敏感度，通過偵測電流通過元器件時所發(fā)射出的微弱可見光，以提
供分析所需的信息。這種方法常用于latch-up分析及漏電流分析等方面。（可以說是微光顯
影技術(shù)，通過局部過熱而發(fā)出的光亮進行拍照，再上色標記，供電路設(shè)計人員分析）
個人認為芯片是否失效，從普通用戶角度講就是能不能正常使用。對于應(yīng)用用戶來講就是
能不能達到規(guī)格的標準（spec.）。對于前者，可能更多考慮是產(chǎn)品的功能（當然壞的東西你也
不會買，不過有可能買回來壞），而后者也許會更加細致的進行測試，以確認不會有太大
的漏電流造成過多的能耗。
[3]中總結(jié)出三種，相對簡便的測試和判定依據(jù)，
1， 漏電流；
2， 相對電流、電壓漂移
3， 功能觀測法
三者判定依據(jù)
方法1：常規(guī)CMOS漏電流為1nA，如果測試I/O腳時結(jié)果電流超過1uA或者10uA，而
且隨偏壓增大而增大。
方法2：I-V特性曲線漂移過大（[3]中認為大于30%）。
方法3：測試結(jié)果與spec.不符。
對于[2]中新增的兩種方法，似乎已被這三種情況所涵蓋，所以個人認為沒有必要。比如，
短開路而言不具有普遍性，因此不應(yīng)作為判定的依據(jù)。
綜上所述，一顆完整的芯片，首先應(yīng)滿足用戶的功能需求（這一步對測試來說，相對繁瑣
一些，所以放在第三位）。前兩者，可以選取PIN腳進行測試（按針對本芯片的測試方法進
行），如果已經(jīng)認定，自然就不要再作后面更繁瑣的工作了。（望指正）
工業(yè)標準對產(chǎn)品ESD敏感度作了等級評定，詳情請查閱相關(guān)標準。對ESD failure
threshold 的取值，應(yīng)取極小值，也就是說對于一批芯片來說以承受電壓zui低的那顆為準，
對于一顆芯片來說以承受電壓zui低的PIN來定義這顆芯片的ESD failure threshold。一批芯片
要測 5 顆以上，但一般只會測 3 - 5 顆。
在詢問和請教了某公司資深專家以后，得知通常的一些情況，比如四種放電模式中以HBM為zui基本
的測試模式。判定fail的情況也是只會用到兩種，一是function是否正常，二是測漏電流。
