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北京市卓川電子科技有限公司
卓川磁電阻與巨磁電阻效應綜合實驗儀由磁場引起材料電阻變化的現象稱為磁電阻效應。 目前發(fā)現的磁電阻效應有:正常磁電阻效應( OMR )、各向異性磁電阻效應( AMR )、巨磁電阻效應( GMR )、龐磁電阻效應( CMR )及隧穿磁電阻效應( TMR )等。
本儀器提供三種磁電阻傳感器,分別為多層膜巨磁電阻傳感器 、自旋閥巨磁電阻傳感器、各向異性磁電阻傳感器。 幫助學生了解不同磁電阻效應
由磁場引起材料電阻變化的現象稱為磁電阻效應。 目前發(fā)現的磁電阻效應有:正常磁電阻效應( OMR )、各向異性磁電阻效應( AMR )、巨磁電阻效應( GMR )、龐磁電阻效應( CMR )及隧穿磁電阻效應( TMR )等。 卓川磁電阻與巨磁電阻效應綜合實驗儀卓川磁電阻與巨磁電阻效應綜合實驗儀
本儀器提供三種磁電阻傳感器,分別為多層膜巨磁電阻傳感器 、自旋閥巨磁電阻傳感器、各向異性磁電阻傳感器。 幫助學生了解不同磁電阻效應的原理及應用,儀器安全可靠,實驗內容豐富。 可用于高校、中專的基礎物理實驗、近代物理實驗及綜合性設計性物理實驗。
應用本儀器可完成以下實驗:
1 .了解不同磁電阻效應原理,測量不同磁場下三種材料磁電阻阻值 RB ,作 RB/R0-B 關系圖,求電阻相對變化率(RB-R0)/R0 的zui大值;
2. 學習磁電阻傳感器定標方法,計算三種磁電阻傳感器靈敏度;
3 . 測量三種磁電阻傳感器輸出 電壓V輸出與通電導線電流 I 的關系;
4 .作自旋閥巨磁電阻傳感器磁滯回線。
儀器主要技術參數:
1 .多層膜巨磁電阻傳感器 線性范圍 0.15mT - 1.05mT 靈敏度 30.0mV/V/mT - 42.0mV/V/mT
自旋閥巨磁電阻傳感器 線性范圍 -0.81mT - 0.87mT 靈敏度 13.0mV/V/mT - 16.0mV/V/mT
各向異性磁電阻傳感器 線性范圍 -0.6mT - 0.6mT 靈敏度 8.0mV/V/mT - 12.0mV/V/mT
2 .亥姆霍茲線圈 單只線圈匝數 N= 200 匝,半徑 10 cm
3 .亥姆霍茲線圈用恒流源 輸出電流 0 - 1.2A 連續(xù)可調
4 .測量用恒流源 輸出電流 0 - 5A 連續(xù)可調
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