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撫生試劑-中科院微電子所采用ALD技術(shù)顯著提升發(fā)光器件效率

閱讀：89發(fā)布時間：2014-03-04

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中科院微電子所采用ALD技術(shù)顯著提升發(fā)光器件效率

日前，*微電子研究所將*的原子層沉積技術(shù)應(yīng)用于高光效半導體發(fā)光器件的研究取得顯著進展。

　　上世紀80年代，原子層沉積(Atomic Layer Deposition，ALD)zui初由芬蘭科學家提出并應(yīng)用于平板顯示器件中Al2O3絕緣膜的沉積。2007年英特爾公司將原子層沉積技術(shù)引入45納米節(jié)點及以后的集成電路工藝，由于其沉積參數(shù)的高度可控性(厚度，成份和結(jié)構(gòu))，優(yōu)異的沉積均勻性和一致性使得其在微電子領(lǐng)域獲得了廣泛的應(yīng)用。

　　*微電子所四室劉洪剛研究員針對工業(yè)界常用的電子束方法制備分布式布拉格反射鏡(DBR)存在厚度不均勻、效率低等缺點，提出采用原子層沉積技術(shù)研制高性能分布式布拉格反射鏡(DBR)的設(shè)想以提升半導體發(fā)光器件的光提取效率，他帶領(lǐng)的科研團隊通過開展ALD-DBR的材料篩選、結(jié)構(gòu)設(shè)計、沉積工藝、光學測量等方面的系統(tǒng)研究，研制出適于ALD大規(guī)模的Al2O3/TiO2新型DBR結(jié)構(gòu)并成功應(yīng)用于高光效氮化鎵基發(fā)光二極管(GaN LED)的，使GaN LED的光輸出功率提高43%以上。

中科院微電子所采用ALD技術(shù)顯著提升發(fā)光器件效率


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