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行業(yè)產(chǎn)品

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深圳市浩時(shí)健電子有限公司


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三菱功放模塊 RA30H2127M

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產(chǎn)品型號(hào)RA30H2127M

品       牌

廠商性質(zhì)代理商

所  在  地深圳市

聯(lián)系方式：馮進(jìn)軍查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間：2017-11-05 12:21:31瀏覽次數(shù)：355次

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經(jīng)營模式：代理商

商鋪產(chǎn)品：126條

所在地區(qū)：廣東深圳市

聯(lián)系人：馮進(jìn)軍 （銷售經(jīng)理）

產(chǎn)品簡介

RA30H2127M是30-watt RF的MOSFET放大器模塊for 12.5-volt，在210-經(jīng)營移動(dòng)收音機(jī)270-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強(qiáng)型MOSFET晶體管

詳細(xì)介紹

RA30H2127M是30-watt RF的MOSFET放大器模塊for 12.5-volt，在210-經(jīng)營移動(dòng)收音機(jī)270-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強(qiáng)型MOSFET晶體管.如果沒有門電壓(VGG進(jìn)排水=0V),只是一個(gè)很小的泄漏電流與輸入信號(hào)衰減的RF高達(dá)60 dB.輸出功率作為柵極和漏極電壓增加電流增加.隨著大幅增加.額定輸出功率變?yōu)榭稍?.5V（典型值）和5V（zui大）.在VGG=5V,典型柵極電流1 mA.該模塊是專為非線性調(diào)頻調(diào)制，但可能也可用于線性調(diào)制通過設(shè)置靜態(tài)漏電流隨柵極電壓和輸出功率控制輸入功率.
特征
?增強(qiáng)型MOSFET晶體管(IDD?0@ VDD=12.5V, VGG=0V)
?40% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=50mW
?寬帶頻率范圍：210-270MHz
?低功耗控制電流IGG=1mA (typ)在VGG=5V
?模塊尺寸：66 x 21 x 9.88 mm
?線性操作有可能通過設(shè)置靜態(tài)漏電流同門電壓和輸出功率的控制輸入功率


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