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行業(yè)產(chǎn)品

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深圳市浩時健電子有限公司


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三菱射頻模塊 RA30H1317M

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具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號RA30H1317M

品       牌

廠商性質(zhì)代理商

所  在  地深圳市

聯(lián)系方式：馮進軍查看聯(lián)系方式

更新時間：2017-10-25 09:39:11瀏覽次數(shù)：506次

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經(jīng)營模式：代理商

商鋪產(chǎn)品：126條

所在地區(qū)：廣東深圳市

聯(lián)系人：馮進軍 （銷售經(jīng)理）

產(chǎn)品簡介

RA30H1317M1是30-watt RF的MOSFET放大器模塊12.5-volt移動電臺在向工作在135-175-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強型MOSFET晶體管

詳細介紹

RA30H1317M1是30-watt RF的MOSFET放大器模塊12.5-volt移動電臺在向工作在135-175-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強型MOSFET晶體管.輸出功率和作為柵極漏電流增加電壓的增加.隨著一門圍繞3.5V電壓（zui小），輸出功率和漏電流大幅增加.額定輸出功率變?yōu)榭稍?V（典型值）和5V（zui大）.在VGG=5V,典型柵極電流1 mA.該模塊是專為非線性調(diào)頻調(diào)制，但可能也可用于線性調(diào)制通過設(shè)置靜態(tài)漏電流隨柵極電壓和輸出功率控制與輸入功率.

 
特征
?增強型MOSFET晶體管(IDD?0@ VDD=12.5V, VGG=0V)
? 40% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=50mW
?寬帶頻率范圍：135-175MHz
?低功耗控制電流IGG=1mA (typ)在VGG=5V
?模塊尺寸：66 x 21 x 9.88 mm
?線性操作有可能通過設(shè)置靜態(tài)漏電流隨柵極電壓和輸出功率控制與輸入功率
?RA30H1317M1-101是RoHS兼容產(chǎn)品
?RoHS遵守表明該地段后由信“G"扣分


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