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近日挪威科技大學的研究人員成功開發(fā)出一種新型半導體工業(yè)復合材料“砷化鎵納米線”，并申請了技術，該復合材料基于石墨烯，具有優(yōu)異的光電性能，在未來半導體產(chǎn)品市場上將競爭性，這種新材料被認作有望改變半導體工業(yè)新型設備系統(tǒng)的基礎。該項技術成果刊登在美國科學雜志納米快報上。
以Helge Weman教授為首的挪威科技大學電子與電訊系的研究團隊和CrayoNanoAS公司共同研制，并聯(lián)合申請了。該產(chǎn)品采用自動分子束外延生長法，在原子級薄石墨烯上生成半導體納米線，新電有透明、韌性佳且價格低廉。Weman教授認為這種納米線雖然不是一個全新產(chǎn)品，但它是半導體裝置方法的一個新模板，該技術可應用于未來太陽能電池和發(fā)光二極管的。
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