新研究揭示塑料半導(dǎo)體中電荷陷阱的形成機制
塑料半導(dǎo)體給低成本、大批量電子器件帶來了希望，但其有一個重要的缺陷：電流會受到材料中電荷陷阱的影響。荷蘭格羅寧根大學(xué)和美國佐治亞理工學(xué)院的研究團隊通過研究揭示了隱藏在這些陷阱下的通用機制，并提供了一個理論框架來設(shè)計沒有陷阱的塑料電子器件。
　　塑料半導(dǎo)體由有機碳基聚合物制成，其含有一個可調(diào)的禁能隙。然而，電子在半導(dǎo)體中遷移時，有很多被卡在了材料中的禁能隙陷阱里，無法轉(zhuǎn)換成光，從而降低了塑料發(fā)光二級管的發(fā)光效率和塑料太陽能電池的效率。

　　但科學(xué)家對陷阱所知甚少。“我們已經(jīng)通過比較9種不同聚合物中的陷阱的性質(zhì)來著手解決這一難題。”該研究論文首要作者、格羅寧根大學(xué)的赫爾曼·尼科萊說，“比較結(jié)果顯示，所有材料中的陷阱都具有非常相似的能級。”

　　由佐治亞理工學(xué)院化學(xué)與生物化學(xué)學(xué)院教授讓-呂克·布萊德斯領(lǐng)導(dǎo)的小組用計算的方式研究了一大批可能陷阱的電子結(jié)構(gòu)。“我們通過計算發(fā)現(xiàn)，測量到的陷阱能級在實驗上與水氧復(fù)合物產(chǎn)生的能級很匹配。”

　　尼科萊解釋說：“水氧復(fù)合物很容易在半導(dǎo)體材料的過程中被引入，即使我們的器件是在氮氣條件下的，也無法阻止少量氧氣和水造成的污染。”

　　陷阱的能級與水氧復(fù)合物相似這一結(jié)果意味著，現(xiàn)在有可能估算出不同塑料材料中預(yù)期將產(chǎn)生的電流，同時，它也指明了設(shè)計不含陷阱的材料的方法。

　　“陷阱的能級就處于禁能隙。”尼科萊說。當一個移動的電子跑進處于禁能隙的陷阱中，就會被抓住，因為陷阱的能級更低。他認為，如果化學(xué)家能夠設(shè)計出陷阱能級高于電子運動軌道的半導(dǎo)體聚合物，電子就不會落入陷阱。

　　尼科萊表示，這項研究成果對于設(shè)計的塑料發(fā)光二極管和塑料太陽能電池非常重要。

新研究揭示塑料半導(dǎo)體中電荷陷阱的形成機制