半導(dǎo)體研究所在非極性GaN材料研究中取得進(jìn)展
 在國家863項(xiàng)目和中國科學(xué)院創(chuàng)新工程的支持下，中科院半導(dǎo)體研究所曾一平研究員帶領(lǐng)的課題，采用自行研制的HVPE氮化物生長系統(tǒng)，通過在m面藍(lán)寶石上磁控濺射生長薄層的ZnO緩沖層，進(jìn)而外延生長獲得了非極性GaN厚膜材料，該材料具有較低的位錯(cuò)密度，適合開發(fā)用于LED、LD等氮化物發(fā)光器件的襯底材料，同時(shí)對(duì)比實(shí)驗(yàn)表明，薄層的ZnO對(duì)于形成非極性GaN起到了至關(guān)重要的作用，沒有ZnO緩沖層的m面藍(lán)寶石上只能夠得到半極性的GaN材料。這項(xiàng)工作對(duì)拓展非極性GaN材料尤其是襯底材料的制備具有很好的借鑒意義，已發(fā)表在Japanese Journal of Applied Physics（Jan. J. Appl. Phys., 2008, 47, 3346）上，并在*時(shí)間被Compound Semiconductor雜志網(wǎng)絡(luò)版報(bào)道（Jun 5, 2008，ZnO allows m-plane GaN growth on sapphire）。

目前，非極性GaN材料尤其是m面GaN材料的制備研究已成為的研究熱點(diǎn)。發(fā)展大尺寸、低成本和高性能的非極性GaN材料成為未來氮化物發(fā)光器件的重要趨勢(shì)之一。m面GaN作為其中zui重要的一種非極性面GaN材料，被認(rèn)為可以消除壓電極化導(dǎo)致的氮化物發(fā)光器件輻射復(fù)合效率降低和發(fā)光波長藍(lán)移等問題，在未來的半導(dǎo)體白光照明工程中具有重要應(yīng)用前景。然而，常規(guī)制備方法如高壓法、HVPE生長厚膜的m面切割以及LiAlO2上的外延等都存在襯底難于做到使用尺寸、價(jià)格過于昂貴、材料本身不穩(wěn)定等因素的影響，不利于非極性LED、LD等的進(jìn)一步發(fā)展。