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圖像傳感器是傳感技術(shù)中主要的一個(gè)分支，廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，它是PC機(jī)多媒體大世界今后*的外設(shè)，也是保安監(jiān)控產(chǎn)業(yè)中核心的器件，包括光電鼠標(biāo)、支持?jǐn)?shù)碼照相技術(shù)的以及消費(fèi)電子、醫(yī)藥和工業(yè)市場中的各種新應(yīng)用。每種應(yīng)用都有其*的客戶期望、技術(shù)挑戰(zhàn)和系統(tǒng)要求。 
圖像傳感器根據(jù)元件不同分為CCD、CMOS。 
CMOS圖像傳感器和CCD攝像器件在20年前幾乎是同時(shí)起步的。CCD（Charge Coupled Device，電荷耦合元件）是應(yīng)用在攝影攝像方面的技術(shù)元件，CMOS（Complementary Metal-Oxide Semiconductor，金屬氧化物半導(dǎo)體元件）則應(yīng)用于較低影像品質(zhì)的產(chǎn)品中。由于CCD器件有光照靈敏度高、噪音低、像素小等優(yōu)點(diǎn)，所以在過去15年里它一直主宰著圖像傳感器市場。與之相反，CMOS圖像傳感器過去存在著像素大、信噪比小、分辨率低這些缺點(diǎn)，一直無法和CCD技術(shù)抗衡。但是隨著大規(guī)模集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展，過去CMOS圖像傳感器工藝中不易解決的技術(shù)難關(guān)現(xiàn)已都能找到相應(yīng)解決的途徑，從而大大改善了CMOS圖像傳感器的圖像質(zhì)量。目前CMOS單元面積的像素?cái)?shù)已可與CCD單元面積的像素?cái)?shù)相比，從而使CMOS圖像傳感器也可以做到高分辨率。如果能將CMOS黑白與彩色圖像傳感器的信噪比再提高10dB，光照靈敏度再提高4～5倍，那么CMOS圖像傳感器取代CCD器件就指日可待了。如果再考慮到CMOS圖像傳感器具有體積小、功耗低、高集成這些過去沒有得到充分發(fā)揮的優(yōu)點(diǎn)，在今后都能得到充分發(fā)揮，那么一個(gè)嶄新的圖像技術(shù)時(shí)代即將來臨。據(jù)保守的估計(jì)，到2002年，CCD圖像器件市場的一半將被CMOS圖像傳感器取代。 
CCD：電荷藕合器件圖像傳感器CCD（Charge Coupled Device），它使用一種高感光度的半導(dǎo)體材料制成，能把光線轉(zhuǎn)變成電荷，通過模數(shù)轉(zhuǎn)換器芯片轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號，數(shù)字信號經(jīng)過壓縮以后由相機(jī)內(nèi)部的閃速存儲器或內(nèi)置硬盤卡保存，因而可以輕而易舉地把數(shù)據(jù)傳輸給計(jì)算機(jī)，并借助于計(jì)算機(jī)的處理手段，根據(jù)需要和想像來修改圖像。CCD由許多感光單位組成，通常以百萬像素為單位。當(dāng)CCD表面受到光線照射時(shí)，每個(gè)感光單位會(huì)將電荷反映在組件上，所有的感光單位所產(chǎn)生的信號加在一起，就構(gòu)成了一幅完整的畫面。 
CMOS：互補(bǔ)性氧化金屬半導(dǎo)體CMOS（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）和CCD一樣同為在數(shù)碼相機(jī)中可記錄光線變化的半導(dǎo)體。CMOS的技術(shù)和一般計(jì)算機(jī)芯片沒什么差別，主要是利用硅和鍺這兩種元素所做成的半導(dǎo)體，使其在CMOS上共存著帶N（帶?C電）和 P（帶+電）級的半導(dǎo)體，這兩個(gè)互補(bǔ)效應(yīng)所產(chǎn)生的電流即可被處理芯片紀(jì)錄和解讀成影像。然而，CMOS的缺點(diǎn)就是太容易出現(xiàn)雜點(diǎn), 這主要是因?yàn)樵缙诘脑O(shè)計(jì)使CMOS在處理快速變化的影像時(shí)，由于電流變化過于頻繁而會(huì)產(chǎn)生過熱的現(xiàn)象。 
CIS(Contact Image Sensor)：接觸式圖像傳感器于八十年代末應(yīng)運(yùn)而生，它是由CMOS工藝制作的傳感器IC組成陣列，陣列的長度與原稿相同，光路由CIS本體決定，具有體積小、光路短等特點(diǎn)，組成的系統(tǒng)體積也小，而且安裝簡單，不需要調(diào)整光路，解決了圖像光學(xué)信號均勻性和部件體積問題，便于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的小型化。