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技術(shù)文章

柔性GaAs半導(dǎo)體的制備方法

閱讀:563發(fā)布時(shí)間:2011-12-15

柔性GaAs半導(dǎo)體的制備方法
雖然像砷化鎵這樣的化合物半導(dǎo)體在光伏電池和光電應(yīng)用中與硅相比有很大的性能優(yōu)勢,但這些優(yōu)勢并不能超過生成這些材料的大型高質(zhì)量層狀結(jié)構(gòu)、并將它們轉(zhuǎn)移到柔性或透明基質(zhì)上、用在如太陽能電池、夜視照相機(jī)和無線通信系統(tǒng)等設(shè)備中所涉及的高成本過程(所體現(xiàn)出的劣勢)。
然而現(xiàn)在,John Rogers及其團(tuán)隊(duì)演示了一個(gè)新的制造方法,它能克服這一缺點(diǎn)。他們是在一個(gè)單一沉降序列中、在厚的、多層組合體中來生長GaAs和AlGaAs薄膜的,然后將各層薄膜釋放,通過印刷方式使其分布在異質(zhì)基質(zhì)上。.
這一策略對于大面積應(yīng)用的技術(shù)潛力,通過如以玻璃為基質(zhì)的場效應(yīng)晶體管和以塑料為基質(zhì)的光伏電池模塊等GaAs裝置的制造得到了演示。
柔性GaAs半導(dǎo)體的制備方法


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