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行業(yè)產(chǎn)品

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正向壽命試驗(yàn)臺

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參  考  價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號

品       牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地西安市

聯(lián)系方式：李想查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間：2024-05-18 18:39:12瀏覽次數(shù)：156次

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經(jīng)營模式：生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品：29條

所在地區(qū)：陜西西安市

聯(lián)系人：李想 （項(xiàng)目經(jīng)理）

產(chǎn)品簡介

絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT）作為功率開關(guān)器件，具有載流密度大、飽和壓降低等
許多優(yōu)點(diǎn)，
但是由于其*工作在高電壓、大電流、高頻開關(guān)狀態(tài)等且運(yùn)行環(huán)境復(fù)雜，IGBT功耗和結(jié)溫頻繁波動容易造成器件疲勞老化。目前國內(nèi)外溫度循環(huán)引起的器件失效機(jī)理已進(jìn)行了深入研究，在此基礎(chǔ)上正積極發(fā)展功率模塊壽命預(yù)測技術(shù)以提高變流器運(yùn)

詳細(xì)介紹

正向壽命試驗(yàn)臺

系統(tǒng)概述

     絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT）作為功率開關(guān)器件，具有載流密度大、飽和壓降低等

許多優(yōu)點(diǎn)，

     但是由于其*工作在高電壓、大電流、高頻開關(guān)狀態(tài)等且運(yùn)行環(huán)境復(fù)雜，IGBT功耗和結(jié)溫頻繁波動容易造成器件疲勞老化。目前國內(nèi)外溫度循環(huán)引起的器件失效機(jī)理已進(jìn)行了深入研究，在此基礎(chǔ)上正積極發(fā)展功率模塊壽命預(yù)測技術(shù)以提高變流器運(yùn)行可靠性。

技術(shù)指標(biāo)

測試參數(shù) VF

0.01～20V

0.01～10V±3%±0.01V

10～20V±3%±0.1V

測試條件

正向電流：1mA～60A  直流方波

脈寬

50uS-1mS

工位

 20只

測試方法

器件在特定溫度下存儲一定時(shí)間后，在設(shè)定電流后 按規(guī)定施加條件對被試器件依次進(jìn)行測試，測試間 隔時(shí)間約100mS


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