640 15um制冷 InGaAs焦平面探測(cè)器Features（特點(diǎn)）640*512陣列格式15um 象元間距Kovar metal一級(jí)制冷低暗電流高量子效率高可操作性Applications（應(yīng)用）近紅外成像超光譜秘密監(jiān)察半導(dǎo)體檢測(cè)天文學(xué)和科學(xué)工業(yè)熱成像

詳細(xì)介紹

640 15um制冷 InGaAs焦平面探測(cè)器
Features（特點(diǎn)）
640*512陣列格式
15um 象元間距
Kovar metal一級(jí)制冷
低暗電流
高量子效率
高可操作性
Applications（應(yīng)用）
近紅外成像
超光譜
秘密監(jiān)察
半導(dǎo)體檢測(cè)
天文學(xué)和科學(xué)
工業(yè)熱成像

640 15um制冷 InGaAs焦平面探測(cè)器參數(shù)見(jiàn)下表

型號(hào)	FPA0640P15F-17-C	FPA0640P15F-17-T1	FPA-640×512-K
材料	InGaAs	InGaAs	InGaAs
響應(yīng)波段	0.9um-1.7um	0.9um-1.7um	0.9um-1.7um
圖像分辨率	640×512	640×512	640×512
像元尺寸	15um	15um	25um
靶面尺寸	9.6mm×7.68mm	9.6mm×7.68mm	16mm×12.8mm
封裝	64-pin CLCC	28-pin SDIP Package	28-pin MDIP
重量	1.7g	17g(±1.0)	24.6g/24.467g
有效像元率	>99.5%	>99.5%	>99%
暗電流	≤60fA	≤50fA	≤0.2pA
量子效率	≥70%	≥70%	≥70%
填充率	/		＞99%
串?dāng)_	/		＜1%
探測(cè)率	/		≥5×10¹²J(TE1) ≥7.5×10¹²J(TE2)
響應(yīng)非均勻性	≤10%	≤10%	≤10%
非線性(大偏差)	≤5%	≤25%	≤2%
大像素率	/	/	10MHz
增益	High:99.9uV/e- Low:1.33uV/e-	High:99.9uV/e- Low:1.33uV/e-	High:23.6uV/e- Low:1.26 uV/e-
滿阱容量	High:19Ke- Low:1.44Me-	High:19Ke- Low:1.44Me-	High:118Ke- Low:1.9Me-
TEC 制冷	非制冷	TE1	TE1/TE2
工作溫度	-20℃—85℃	-20℃—85℃	-20℃—85℃
儲(chǔ)存溫度	-40℃—85℃	-40℃—85℃	-40℃—85℃
功耗	200mw	200mw**	325mw**

注：**不帶制冷

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