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安徽寶德自控設(shè)備有限公司


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本安防爆計算機電纜

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產(chǎn)品型號

品       牌

廠商性質(zhì)其他

所  在  地滁州市

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更新時間:2023-02-09 12:16:30瀏覽次數(shù):467次

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經(jīng)營模式:其他

商鋪產(chǎn)品:289條

所在地區(qū):安徽滁州市

聯(lián)系人:周經(jīng)理

產(chǎn)品簡介

詳細介紹


 
 
本安計算機用屏蔽電纜(或稱本安DCS系統(tǒng)用電纜)適用于石油、化工、電力、煤氣工程、礦山等存在爆炸危險的場合以及其它 防爆安全要求較高的場合,傳輸自動控制信號。該電纜具有低電容、低電感集散型儀表信號電纜,簡稱本安DCS系統(tǒng)用電纜,具有優(yōu)異的屏蔽性能和抗干擾性能, 因此防爆安全性能明顯高于一般DCS系統(tǒng)電纜和計算機控制電纜。
執(zhí)行標準:企業(yè)標準
使用特性:
 
1、交流額定電壓U0/U:300/500V
2、電纜導體長期允許工作溫度:聚氯乙烯絕緣為70℃;交聯(lián)聚乙烯絕緣為90℃;無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣為70℃。
3、環(huán)境溫度:固定敷設(shè)-40℃;非固定敷設(shè)-15℃;安裝敷設(shè)時環(huán)境溫度:不低于0℃。
4、電纜允許彎曲半徑:非鎧裝、編織屏蔽電纜不小于電纜外徑的6倍;銅帶屏蔽、鎧裝電纜不小于電纜外徑的12倍。
電纜型號、名稱:
 
型號
名稱
IA-DJYPVP
聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅線編織分屏總屏本安型DCS電纜
IA-DJYPVPR
聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅線編織分屏總屏本安型DCS軟電纜
IA-DJYP3VP3
聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜
IA-DJYP3VP3R
聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜
IA-DJYP2VP2
聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜
IA-DJYP2VP2R
聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜
IA-DJYJPVP
交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅線編織分屏總屏本安型DCS電纜
IA-DJYJPVPR
交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅線編織分屏總屏本安型DCS軟電纜
IA-DJYJP3VP3
交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜
IA-DJYJP3VP3R
交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜
IA-DJYJP2VP2
交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜
IA-DJYJP2VP2R
交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜
WDZ-IA-DJYPVP
無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套銅線編織分屏總屏本安DCS電纜
WDZ-IA-DJYPVPR
無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套銅線編織分屏總屏本安型DCS軟電纜
WDZ-IA-DJYP3VP3
無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜
WDZ-IA-DJYP3VP3R
無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜
WDZ-IA-DJYP2VP2
無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS電纜
WDZ-IA-DJYP2VP2R
無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型DCS軟電纜
規(guī)格范圍:
 
對數(shù):1-24對
每對芯數(shù):二芯(稱二線組),三芯(稱三線組)
導體截面:0.5、0.75、1.0、1.5、2.5
技術(shù)參數(shù) :
 
1、20℃導體直流電阻及導體結(jié)構(gòu)
標稱截面(mm2)
導體結(jié)構(gòu)(根數(shù)/單絲直徑mm)
20℃直流電阻≤(Ω/km)
A類
B類
R類
A、B類
R類
0.5
1/0.8
7/0.3
16/0.2
≤36.0
≤39.0
0. 75
1/0.97
7/0.37
24/0.2
≤24.5
≤26.0
1.0
1/1.13
7/0.43
32/0.2
≤18.1
≤19.5
1.5
1/1.38
7/0.52
30/0.25
≤12.1
≤13.3
2.5
1/1.78
7/0.68
49/0.25
≤7.41
≤7.98
2、20℃絕緣電阻
性能項目
PVC絕緣
PE、XLPE絕緣
20℃時絕緣電阻MΩ.KM
≥25
≥500
3、電纜應經(jīng)受工頻交流電壓試驗:2000V/1min絕緣不發(fā)生擊穿,試驗溫度為環(huán)境溫度。
4、工作電容(1KHZ):線芯與線芯≤90PF/m
5、分布電容(1KHZ)≤0.6μH/m
6、電磁干擾感應電壓(干擾磁場400A/m)≤5mV
7、靜電感應電壓(靜電電壓20KV)<1V
8、輻射場透入強度(干擾場強120dBμV,干擾場頻率200MHZ)≤dBμV
 

 


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