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行業(yè)產(chǎn)品

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武漢普賽斯儀表有限公司


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半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)

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產(chǎn)品型號(hào)PMST-3000V

品       牌

廠商性質(zhì)0

所  在  地武漢市

聯(lián)系方式:陶女士查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間:2022-03-08 09:41:26瀏覽次數(shù):583次

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
單臺(tái)PW 高達(dá)12V/1000A,可多臺(tái)并聯(lián) CW 高達(dá)3000V/100mA
最小分辨率 30uV/10pA    

半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)集多種測(cè)量和分析功能一體,可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA

詳細(xì)介紹

半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)集多種測(cè)量和分析功能一體,可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件(MOSFETBJT、IGBT等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性,uΩ級(jí)電阻,p*電流精準(zhǔn)測(cè)量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如輸入電容,輸出電容、反向傳輸電容等。 

IGBT靜態(tài)測(cè)試方案.jpg產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 高電壓:支持高達(dá)3KV高電壓測(cè)試;

  • 大電流:支持高達(dá)4KA大電流測(cè)試;

  • 高精度:支持uΩ級(jí)電阻、pA級(jí)電流、uV級(jí)精準(zhǔn)測(cè)量;

  • 豐富模板:內(nèi)置豐富的測(cè)試模板,方便用戶快速配置測(cè)試參數(shù);

  • 配置導(dǎo)出:支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動(dòng)測(cè)試功能;

  • 數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出:支持圖形界面以及表格展示測(cè)試結(jié)果,亦可一鍵導(dǎo)出;

  • 模塊化設(shè)計(jì):內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),可自由配置,方便維護(hù);

  • 可拓展:支持拓展溫控功能,方便監(jiān)控系統(tǒng)運(yùn)行溫度;

  • 可定制開(kāi)發(fā):可根據(jù)用戶測(cè)試場(chǎng)景定制化開(kāi)發(fā);

     

    技術(shù)指標(biāo)

PMST系統(tǒng)配置

關(guān)鍵參數(shù)

備注

P系列
脈沖源表

PW高達(dá)30V/10A、300V/1A

柵極特性測(cè)試

CW高達(dá)300V/0.1A、30V/1A

最小脈沖寬度200uS

HCP系列
大電流脈沖源表

PW高達(dá)30V/100A

IGBT導(dǎo)通壓降、二極管瞬時(shí)前向電壓測(cè)試

CW高達(dá)10V/30A

最小分辨率30uV/10pA

最小脈沖寬度80uS

HCPL系列
高電流脈沖電流源

單臺(tái)PW高達(dá)12V/1000A,可多臺(tái)并聯(lián)

最小脈沖寬度50uS

E系列
高電壓源測(cè)單元

CW高達(dá)3000V/100mA

IGBT擊穿電壓測(cè)試

最小分辨率10mV/100pA

測(cè)量精度 0.1%

電橋

頻率范圍:20Hz~1MHz

IGBT各級(jí)間電測(cè)試

HVP系列提供0~400V直流偏置電壓
S系列提供0~30V直流偏置電壓

預(yù)置偏置電阻100kΩ

矩陣開(kāi)關(guān)

/

電路切換及源表切換

主機(jī)

/


測(cè)試夾具

根據(jù)器件封裝形式定制



半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)用

功率器件如二極管、三極管、MOS管、IGBT、SICGaN;

總結(jié)裸.jpg



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