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行業(yè)產(chǎn)品

  • 行業(yè)產(chǎn)品

深圳市泰凌微電子有限公司


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產(chǎn)品型號

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)代理商

所  在  地深圳市

聯(lián)系方式：AnitaZhou查看聯(lián)系方式

更新時間：2025-06-13 13:38:09瀏覽次數(shù)：22次

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經(jīng)營模式：代理商

商鋪產(chǎn)品：200條

所在地區(qū)：廣東深圳市

聯(lián)系人：AnitaZhou （商務(wù)經(jīng)理）

產(chǎn)品簡介

中科君芯JFG105N100L 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ?是一種電子元件，主要用于電池管理系統(tǒng)和電源管理、消費適配器、電子工具和DC/DC 轉(zhuǎn)換器。其工作原理基于增強型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)源極和漏極之間的導(dǎo)電通道

詳細(xì)介紹

中科君芯JFG105N100L 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ?是一種電子元件，主要用于電池管理系統(tǒng)和電源管理、消費適配器、電子工具和DC/DC 轉(zhuǎn)換器。其工作原理基于增強型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)源極和漏極之間的導(dǎo)電通道，從而實現(xiàn)電流的控制。

功能特性：

• 設(shè)備額定電壓VDS:=30V,連續(xù)工作時漏極電流上限 ID = 8A

• 導(dǎo)通電阻=15mΩ (typ.) 柵源電壓= 10V, 漏極電流 = 8A

導(dǎo)通電阻=25mΩ (typ.) 柵源電壓= 4.5V, 漏極電流 = 6A

• 專有高密度溝槽技術(shù)

•環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)?：符合RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，無鉛封裝，環(huán)保性能良好，不含鹵素或鹵素含量極低

封裝：SOP-8L

參數(shù)：

?VDS（Drain-Source Voltage）?：30V

?VGS（Gate-Source Voltage）?：±20V

?ID（Continuous Drain Current）?：Tc=25°對應(yīng)漏極電流上限8.9A,Tc=70°對應(yīng)漏極電流上限值7.1A

?IDM（Pulsed Drain Current）：64A

PD（Total Power Dissipation）?：TC = 25℃ 對應(yīng)2.15W,TA = 70℃對應(yīng)0.86W

EAS單脈沖雪崩能量:8mJ

RθJA熱阻:58°C\W

RθJL:結(jié)到殼的熱阻:20°C\W

?TJ?\TSTG?:-55 to +150°C

注：電氣特性 除非另有說明，TC=25℃


————其他詳細(xì)參數(shù)請聯(lián)系深圳市泰凌微電子有限公司團隊————————————






關(guān)鍵詞：轉(zhuǎn)換器

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