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北京華測(cè)試驗(yàn)儀器有限公司


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鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器測(cè)試儀

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產(chǎn)品型號(hào)FeRAM

品       牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地北京市

聯(lián)系方式:魏 工查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間:2022-05-06 13:09:41瀏覽次數(shù):251次

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

內(nèi)存窗口信息是基于對(duì)器件*集成后進(jìn)行模擬電滯回線測(cè)量后得出的。

詳細(xì)介紹


鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器測(cè)試儀






FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) Cell Tester




內(nèi)存窗口信息是基于對(duì)器件*集成后進(jìn)行模擬電滯回線測(cè)量后得出的。


應(yīng)用領(lǐng)域:

鐵電存儲(chǔ)器的生產(chǎn)

生產(chǎn)過程中的質(zhì)量控制,以便不會(huì)影響到CMOS生產(chǎn)過程

在MHz的操作速度下,單級(jí)電滯回線數(shù)據(jù)


優(yōu)點(diǎn):

生產(chǎn)過程的工藝優(yōu)化

在MHz范圍的時(shí)間影響測(cè)試

適用于2T-2C 設(shè)計(jì)和1T-1C設(shè)計(jì)

從模擬測(cè)試數(shù)據(jù)得出內(nèi)存窗口信息

客戶可定制測(cè)試環(huán)境

升級(jí)服務(wù)

客戶支持


程序功能:

可以在單一器件上進(jìn)行電滯回線、PUND脈沖測(cè)試等測(cè)試過程。

上升時(shí)間zui低可實(shí)現(xiàn)1μm,自定義的測(cè)試脈沖可以用于測(cè)試不同類型的失效機(jī)制。預(yù)極化脈沖參數(shù)可以在測(cè)試序列里單獨(dú)設(shè)置。

可以使用Access Time程序進(jìn)行相同脈沖強(qiáng)度下不同幅值相同脈沖寬度或相同脈沖幅值不同脈沖寬度的測(cè)試。

這些測(cè)試是基于的zhuan利技術(shù):原位寄生電容補(bǔ)償。


特點(diǎn):

FeRAM測(cè)試儀是用來記錄quan面的測(cè)試單元電滯回線的,測(cè)試儀生成所需要的時(shí)間。

如果芯片的布局發(fā)生變化,可以自動(dòng)獲取材料特性較大的陣列。這種情況下,測(cè)試儀是用一個(gè)開關(guān)盒和一個(gè)探針臺(tái)工作的。軟件可以自動(dòng)調(diào)整設(shè)置的參數(shù)。

參數(shù)的統(tǒng)計(jì)評(píng)價(jià)是通過aixPlorer完成的。

FeRAM測(cè)試儀zui大的優(yōu)點(diǎn)就是可以使重要信息流程化,從而提高產(chǎn)量,降低了成本,從而減少了產(chǎn)品上市的時(shí)間。相關(guān)的數(shù)字結(jié)果和模擬實(shí)驗(yàn)提供了重要信息。

FeRAM測(cè)試儀擁有高分辨測(cè)量和速度到微秒的測(cè)量功能。







內(nèi)存窗口信息是基于對(duì)器件*集成后進(jìn)行模擬電滯回線測(cè)量后得出的。

應(yīng)用領(lǐng)域:
鐵電存儲(chǔ)器的生產(chǎn)
生產(chǎn)過程中的質(zhì)量控制,以便不會(huì)影響到CMOS生產(chǎn)過程
在MHz的操作速度下,單級(jí)電滯回線數(shù)據(jù)

優(yōu)點(diǎn):
生產(chǎn)過程的工藝優(yōu)化
在MHz范圍的時(shí)間影響測(cè)試
適用于2T-2C 設(shè)計(jì)和1T-1C設(shè)計(jì)
從模擬測(cè)試數(shù)據(jù)得出內(nèi)存窗口信息
客戶可定制測(cè)試環(huán)境
升級(jí)服務(wù)
客戶支持

程序功能:
可以在單一器件上進(jìn)行電滯回線、PUND脈沖測(cè)試等測(cè)試過程。
上升時(shí)間zui低可實(shí)現(xiàn)1μm,自定義的測(cè)試脈沖可以用于測(cè)試不同類型的失效機(jī)制。預(yù)極化脈沖參數(shù)可以在測(cè)試序列里單獨(dú)設(shè)置。
可以使用Access Time程序進(jìn)行相同脈沖強(qiáng)度下不同幅值相同脈沖寬度或相同脈沖幅值不同脈沖寬度的測(cè)試。
這些測(cè)試是基于的zhuan利技術(shù):原位寄生電容補(bǔ)償。

特點(diǎn):
FeRAM測(cè)試儀是用來記錄quan面的測(cè)試單元電滯回線的,測(cè)試儀生成所需要的時(shí)間。
如果芯片的布局發(fā)生變化,可以自動(dòng)獲取材料特性較大的陣列。這種情況下,測(cè)試儀是用一個(gè)開關(guān)盒和一個(gè)探針臺(tái)工作的。軟件可以自動(dòng)調(diào)整設(shè)置的參數(shù)。
參數(shù)的統(tǒng)計(jì)評(píng)價(jià)是通過aixPlorer完成的。
FeRAM測(cè)試儀zui大的優(yōu)點(diǎn)就是可以使重要信息流程化,從而提高產(chǎn)量,降低了成本,從而減少了產(chǎn)品上市的時(shí)間。相關(guān)的數(shù)字結(jié)果和模擬實(shí)驗(yàn)提供了重要信息。
FeRAM測(cè)試儀擁有高分辨測(cè)量和速度到微秒的測(cè)量功能。


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