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Ca3GdNa(PO4)3F:Sm3+長余輝光致發(fā)光陶瓷

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Ca3GdNa(PO4)3F納米熒光粉

Ca3GdNa(PO4)3F:Sm3+橘紅長余輝納米熒光粉

稀土Sm3+摻雜Ca3GdNa(PO4)3F納米熒光粉激發(fā)波長405nm，發(fā)射波長600nm

下轉(zhuǎn)換紅色發(fā)光材料Ca3GdNa(PO4)3F:Sm3+熒光粉發(fā)射波長600nm，激發(fā)波長405nm

Ca3GdNa(PO4)3F:Sm3+橘紅色長余輝發(fā)光材料

Ca3GdNa(PO4)3F:Sm3+長余輝光致發(fā)光陶瓷

Ca3GdNa(PO4)3F:Sm3+納米晶長余輝材料

納米Ca3GdNa(PO4)3F:Sm3+長余輝發(fā)光材料

長余輝發(fā)光功能的Ca3GdNa(PO4)3F:Sm3+納米線

納米Ca3GdNa(PO4)3F:Sm3+橘紅熒光粉

摻釤的(Ca3GdNa(PO4)3F:Sm3+)稀土發(fā)光材料

長余輝材料的介紹

長余輝的產(chǎn)生是-一個很復(fù)雜的過程,其余輝產(chǎn)生的機理目前還沒有定論,材料的余輝機理也不*相同,對于稀土鋁酸鹽長余輝發(fā)光材料的機理研究，從20世紀(jì)90年代至今一直是人們研究的熱點，提出了不同的余輝發(fā)光機理。其中,位型坐標(biāo)模型更被大家所。蘇鏘°]等提出了長余輝發(fā)光的位型坐標(biāo)模型，此模型如圖2所示,A是Eu2+的基態(tài),B是Eu2+的激發(fā)態(tài),C是摻人的雜質(zhì)離子或者基質(zhì)中的一些其它缺陷所產(chǎn)生的陷阱能級。蘇鏘等認(rèn)為在外部光源的激發(fā)下電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)(過程1),一部分電子躍遷回級產(chǎn)生Eu?+的特征發(fā)光(過程2),另一部分電子則通過馳像過程被陷阱能級捕獲(過程3)。當(dāng)存儲在陷阱中的電子吸收能量后,重新受激發(fā)回到激發(fā)態(tài),然后躍遷回基態(tài)而產(chǎn)光。余輝時間的長短與存儲在陷阱能級中的電子數(shù)量和吸收的能量有關(guān)。隨著長余輝發(fā)光材料的應(yīng)用領(lǐng)域不斷拓展，應(yīng)用水平仍需不斷。研究性能更的長余輝發(fā)光材料及對發(fā)光機理的研究-直是人們關(guān)注的。可以預(yù)見,在國內(nèi)它即將成為- -個新長余輝的產(chǎn)生是-一個很復(fù)雜的過程,其余輝產(chǎn)生的機理目前還沒有定論,材料的余輝機理也不*相同,對于稀土鋁酸鹽長余輝發(fā)光材料的機理研究，從20世紀(jì)90年代至今一直是人們研究的熱點，提出了不同的余輝發(fā)光機理。其中,位型坐標(biāo)模型更被大家所。蘇鏘°]等提出了長余輝發(fā)光的位型坐標(biāo)模型，此模型如圖2所示,A是Eu2+的基態(tài),B是Eu2+的激發(fā)態(tài),C是摻人的雜質(zhì)離子或者基質(zhì)中的一些其它缺陷所產(chǎn)生的陷阱能級。蘇鏘等認(rèn)為在外部光源的激發(fā)下電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)(過程1),一部分電子躍遷回級產(chǎn)生Eu?+的特征發(fā)光(過程2),另一部分電子則通過馳像過程被陷阱能級捕獲(過程3)。當(dāng)存儲在陷阱中的電子吸收能量后,重新受激發(fā)回到激發(fā)態(tài),然后躍遷回基態(tài)而產(chǎn)光。余輝時間的長短與存儲在陷阱能級中的電子數(shù)量和吸收的能量有關(guān)。隨著長余輝發(fā)光材料的應(yīng)用領(lǐng)域不斷拓展，應(yīng)用水平仍需不斷。研究性能更的長余輝發(fā)光材料及對發(fā)光機理的研究-直是人們關(guān)注的,現(xiàn)有材料的性能及其使用性能也是各生產(chǎn)廠家關(guān)注的焦點?？梢灶A(yù)見,在國內(nèi)它即將成為- -個新興產(chǎn)業(yè),有人將發(fā)展為自發(fā)光材料和自發(fā)光產(chǎn)品的大供應(yīng)商。因而加對長余輝發(fā)光材料