g-C3N4修飾的有序TiO2納米管陣列（TINTA）
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1 通過鈦箔的陽極氧化和高溫焙燒過程制備了g-C3N4修飾的有序TiO2納米管陣列（TINTA）。
2 g-C3N4/ TNTA異質(zhì)結(jié)了太陽光驅(qū)動水裂解的光電化學(xué)活性。其光電流密度和偏差光電轉(zhuǎn)化效率分別為~0.86mA/cm2和~0.25％，比原始TiO2納米管陣列高約2倍。
3 異質(zhì)結(jié)擴(kuò)大了TNTAs的光學(xué)吸收范圍，加速了載流子遷移，并且通過TiO2和g-C3N4之間的能帶排列了光生電子-空穴對的復(fù)合。
相關(guān)產(chǎn)品：
Ag NPS/g-C3N4納米復(fù)合物
片狀g-C3N4負(fù)載納米銀粒子(Ag NPs)
一種g-C3N4/MoS2納米復(fù)合材料
TiO2納米顆粒均勻負(fù)載于多孔g-C3N4表面
TiO2/多孔g-C3N4納米復(fù)合材料
負(fù)載過渡金屬元素的C3N4二維納米片
負(fù)載鐵、鈷、鎳的C3N4二維納米片
氨基化C3N4氮化碳納米片（NH2-g-C3N4）
g-C3N4-CdS復(fù)合材料
g-C3N4納米片與SnS納米片復(fù)合材料
g-C3N4的非金屬摻雜主要有O、C、S、B、I、F等，
g-C3N4的金屬摻雜主要有Zn、Fe、Ni、Cu、Co和堿金屬。
形貌，金屬/非金屬摻雜，以及異質(zhì)結(jié)構(gòu)建
NH2-MIL-101(Fe)/g-C3N4異質(zhì)結(jié)
氮空位和氧摻雜處理后的g-C3N4呈中空棱柱形結(jié)構(gòu)
WO3修飾g-C3N4石墨型氮化碳
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溫馨提示：用于科研哦！（zhn2020.08.24）
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