CdS/CdSe納米晶敏化ZnO多孔納米片的報(bào)價
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CdS/CdSe納米晶敏化ZnO多孔納米片的報(bào)價
半導(dǎo)體量子點(diǎn)納米晶由于量子尺寸效應(yīng)、量子限域效應(yīng)、碰撞離子化效應(yīng)、迷你能帶效應(yīng)等一系列低維量子性質(zhì)而具有特的光學(xué)、電學(xué)性能。在敏化電池領(lǐng)域,與傳統(tǒng)的有機(jī)染料敏化劑相比,半導(dǎo)體量子點(diǎn)納米晶具有光量子產(chǎn)率高、能帶可調(diào)、熱載流子壽命長以及熱等一系列特點(diǎn)。這使得以半導(dǎo)體量子點(diǎn)作為光敏化劑的量子點(diǎn)敏化電池有望突破單一能隙的吸收材料太陽能電池的理論轉(zhuǎn)化。 作為一種有希望替代傳統(tǒng)多孔納米晶Ti02工作電極的氧化物半導(dǎo)體材料,ZnO納米結(jié)構(gòu)由于其形貌調(diào)控的靈活性以及較高的電子遷移率已經(jīng)在敏化電池領(lǐng)域得到了的應(yīng)用研究,并表現(xiàn)出不俗的光電轉(zhuǎn)換性能。是構(gòu)筑直接與導(dǎo)電基底連接的ZnO納米陣列理論上為光電子的轉(zhuǎn)移提供了直接的通道,減少了光電子的復(fù)合過程。 主要致力于在FTO導(dǎo)電基底上合成具有高比表面積的多孔ZnO納米片陣列結(jié)構(gòu),在其上沉積CdS(硫化鎘)、CdSe(硒化鎘)量子點(diǎn)納米晶后制備出量子點(diǎn)敏化工作電極。通過封裝組裝出量子點(diǎn)敏化電池器件,并對電池的光電轉(zhuǎn)換性能進(jìn)行了研究。
具體內(nèi)容歸納如下: 1、運(yùn)用水熱合成方法結(jié)合高溫退火過程制備多孔ZnO納米片陣列。 利用溶液中的水熱反應(yīng)制備出了生長在FTO基底上的堿式碳酸鋅納米片陣列結(jié)構(gòu),經(jīng)空氣中的高溫退火后使得原本平整的堿式碳酸鋅納米片失去H2O和CO2分子轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗫譠nO納米片,從而得到了多孔ZnO納米片陣列。 2、運(yùn)用SILAR方法和CBD方法在納米片上沉積CdS、CdSe量子點(diǎn)納米晶。 運(yùn)用簡便的連續(xù)離子層吸附反應(yīng)沉積(SILAR)方法在ZnO多孔納米片上沉積了CdS量子點(diǎn),制備了CdS/ZnO敏化結(jié)構(gòu);利用化學(xué)浴沉積(CBD)方法在納米片上沉積了CdSe量子點(diǎn),制備了CdSe/ZnO敏化結(jié)構(gòu);結(jié)合兩種方法則制備出CdSe/CdS/ZnO共敏化結(jié)構(gòu)。 3、封裝電池,并測試和研究敏化結(jié)構(gòu)的光電轉(zhuǎn)換性能。 采用I-V曲線測試、IPCE測試等手段,表征了三種敏化電極結(jié)構(gòu)的光電轉(zhuǎn)換性能,并利用量子點(diǎn)之間接觸時產(chǎn)生的能帶重排效應(yīng)解釋了共敏化結(jié)構(gòu)的光電轉(zhuǎn)換性能的機(jī)理。 4、探討了電池整體性能的主要因素。 通過不同工作電極、電解液的對比發(fā)現(xiàn)本實(shí)驗(yàn)中影響電池效率的主要因素在于S2-/Sn2-多硫電解液的性能。結(jié)合I-V曲線和交流阻抗譜,發(fā)現(xiàn)多硫電解液與工作電極FTO接觸所帶來的較小的并聯(lián)電阻是主要的影響因素。
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