CdSe/ZnS量子點(diǎn)摻雜聚甲基丙烯酸甲酯材料的應(yīng)用案例

中文名稱：CdSe/ZnS量子點(diǎn)摻雜聚甲基丙烯酸甲酯材料

其它別稱：(CdSe/ZnS)/PMMA量子點(diǎn)摻雜光纖材料

純度：98%

包裝：mg級和g級

貨期：一周

地址：西安

廠家：西安齊岳生物科技有限公司

將CdSe/ZnS(核/殼)量子點(diǎn)摻入聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA),形成(CdSe/ZnS)/PMMA量子點(diǎn)摻雜光纖材料.測量了不同摻雜濃度下的(CdSe/ZnS)/PMMA的吸收譜,發(fā)射譜和射率.與正己烷溶劑中的CdSe/ZnS量子點(diǎn)比較,PMMA基底不改變CdSe/ZnS量子點(diǎn)的吸收和發(fā)射峰值波長.在摻雜質(zhì)量濃度范圍0.013～0.130mg·mL-1內(nèi),實驗觀測到了光致熒光(PL)峰值強(qiáng)度具有單峰并呈指數(shù)平方變化的規(guī)律.隨摻雜濃度的增加,常溫下射率大可0.0013,PL輻射峰波長出現(xiàn)紅移并逐步增大,大紅移量受限于斯托克斯頻移.紅移產(chǎn)生的原因為量子點(diǎn)的二次吸收-發(fā)射和摻雜濃度效應(yīng).

由圖1可見，PMMA基底中CdSe/ZnS量子點(diǎn)(直徑為5.5nm)的一吸收峰位于600nm,熒光峰位于615nm,斯托克斯頻移為15nm,與先前測量的在正己烷中的吸收峰和發(fā)射峰波長一致。因此，可認(rèn)為PMMA基底沒有改變CdSe/ZnS量子點(diǎn)吸收譜和發(fā)射譜波長。

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碳包覆硅量子點(diǎn)(Si QDs)

硅量子點(diǎn)-金復(fù)合納米粒子復(fù)合材料

黑磷量子點(diǎn)(BPQDs)

碳量子點(diǎn)修飾黑磷量子點(diǎn)

廠家：西安齊岳生物科技有限公司

以上資料來自小編axc,2022.03.18

以上文中提到的產(chǎn)品用于科研，不能用于人體。