CVD-WSe2單層薄膜:Si/SiO2襯底齊岳提供單層和雙層

西安齊岳生物供應(yīng)生長WSe2二硒化鎢連續(xù)大面積薄膜除了使用藍寶石襯底以外，還可以通過調(diào)控和優(yōu)化實驗條件在二氧化硅襯底上生長出厘米量級的單層和雙層WSe2連續(xù)大面積薄膜。CVD生長WSe2大膜的生長條件與制備大尺寸單層WSe2薄膜的工藝參數(shù)基本一樣，不同的是(1)硒丸的加熱溫度設(shè)置為420℃，(2)先將氧化鎢在970℃下保溫20min后再通入7sccm的氫氣。因為氧化鎢的熔點高，不利于蒸發(fā)，在970℃下保溫20min使剛玉舟內(nèi)有足夠多的WOx蒸汽，再通入大量的氫氣硒源的還原性，可以使硒與氧化鎢迅速反應(yīng)生成二硒化鎢薄膜。

我們在此條件下，調(diào)控生長時間從5min到25min，步長為5min。如圖3-22(a)所示，當(dāng)生長時間為5min時，基片上出現(xiàn)大量的二硒化鎢單晶。通過觀察低倍光學(xué)照片發(fā)現(xiàn)許多二硒化鎢拼接在一起，并在晶界處有雙層二硒化鎢生長；觀察高倍光學(xué)照片和熒光照片發(fā)現(xiàn)二硒化鎢單晶不是一個干凈的正三角形，在邊緣出現(xiàn)許多“毛刺"和表面出現(xiàn)許多小點，尺寸在200μm左右。這是因為大量的氫氣引入，在加快二硒化鎢生長的過程中，還因為氫氣的腐蝕使二硒化鎢邊緣出現(xiàn)了一些缺陷加速WSe2橫向生長。如圖3-22(b)所示，當(dāng)生長時間為10min時，可以看到大面積連續(xù)的二硒化鎢薄膜，尺寸為1cm×1cm。通過高倍光學(xué)照片和對應(yīng)的熒光照片發(fā)現(xiàn)薄膜質(zhì)量比較均勻，單晶尺寸為150μm左右，但在晶界處有少量的多層二硒化鎢生長。如圖3-22(c)、(h)和(m)所示，反應(yīng)時間為15min時，在單層WSe2薄膜表面可以觀察到大量的形核點，開始生長二層二硒化鎢。這是因為生長時間增加，氫氣腐蝕薄膜表面，引入大量缺陷，由晶體學(xué)可知，晶體在缺陷處容易形核長大。

如圖3-22(d)和(e)所示，繼續(xù)增加生長時間，雙層二硒化鎢的覆蓋率增加，其中生長時間為25min時，雙層二硒化鎢基本形成連續(xù)大膜，只有少量的空隙沒有生長。研究生長過程發(fā)現(xiàn)此方法生長的雙層連續(xù)大膜的生長方式為生長完一層后再生長二層，而不是由雙層二硒化鎢單晶拼接形成。

量子點定制產(chǎn)品目錄：

水溶性CdTe/CdS（碲化鎘/硫化鎘）

3-巰基丙酸修飾CdTe碲化鎘量子點

PbS量子點修飾TiO2納米棒

二硫化碳修飾水溶性CdTe/CdS量子點

Mn錳修飾CdTe/CdS量子點

POSS修飾CdTe量子點

POSS修飾CdSeTe熒光量子點

硫化鎘包被碲化鎘核殼型量子點(CdTe/CdS QDs)

牛血清白蛋白修飾碲化鎘量子點(BSA-CdTe)

CdTe/CdS量子點負載PEI-MWCNTs

CdTe/CdS量子點修飾TiO2納米管

氨基化葫蘆脲修飾的碲化鎘量子點CB[6]/CdTe QDs和CB[7]/CdTeQDs

核糖核酸酶(RNase A)修飾碲化鎘(CdTe)量子點

3-巰基丙酸(MPA)包覆碲化鎘量子點(CdTe QDs)

巰基化殼聚糖修飾碲化鎘量子點CdTe QDs

巰基乙酸修飾的碲化鎘量子點(TGA-CdTe-QDs)

石墨烯-碲化鎘量子點復(fù)合材料(G-CdTe QDs)

氧化石墨烯-碲化鎘量子點(rGO-CdTe QDs)

碲化鎘量子點功能化碳納米球(CNS/CdTe QDS)

巰基丙酸包覆碲化鎘CdTe量子點(CdTe QDs)

環(huán)糊精修飾碲化鎘CdTe量子點

聚乙烯吡咯烷酮修飾硫化鎘量子點(PVP/CdS)

硫化鎘量子點修飾AIE熒光探針分子

羧甲基纖維素鈉修飾硫化鎘(CdS)量子點

水溶性鍺摻雜硫化鎘量子點(Ge:CdS d-dots)

硫化鎘量子點修飾多孔碳氮化物(pg-CN/CdS QDs)

石墨烯/硫化鎘量子點復(fù)合材料

硅納米線-硫化鎘CdS量子點復(fù)合材料

廠家：西安齊岳生物科技有限公司

以上資料來自小編axc,2022.03.15

以上文中提到的產(chǎn)品用于科研，不能用于人體。