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水溶性CdTe/CdS@SiO2近紅外量子點修飾二氧化硅微球

時間:2022-3-10閱讀:395
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水溶性CdTe/CdS@SiO2近紅外量子點修飾二氧化硅微球

通過回流制備了硫化鎘摻雜的碲化鎘紅光量子點(CdTe/CdS),通過檸檬酸和聚乙烯亞胺(B-PEI)熱裂解制備了藍光碳量子點。利用硅酸乙酯水解制備二氧化硅球并將CdTe/CdS包裹在該二氧化硅球內(nèi),進一步將碳量子點連接在二氧化硅球表面,成功制備了雙發(fā)射比率熒光探針,如圖4.1。

CdTe/CdS@SiO2@BPEI-CQDs的合成方法

0.12gCdTe/CdS@SiO2溶解于120mL中,加入25.5mgBPEI-CQDs至上述溶液中,加熱至60°C,加入225μL硅酸乙酯及225μL異腈酸酯,60°C恒溫6小時。冷卻后離心,用和純水交替洗,自然晾干。

4.2A為CdTe/CdS@SiO2的透射電鏡圖,結(jié)果表明大量的CdTe/CdS量子點被成功包覆在二氧化硅球內(nèi)。圖4.2B為CdTe/CdS@SiO2@BPEI-CQDs的透射電鏡圖。圖4.3A為該熒光探針的XPS能譜圖,圖4.4B、4.4C、4.4D分別為Cls、Nls、01s的高分辨譜,表明該碳量子點被成功修飾在二氧化硅球表面。


365nm光激發(fā)下,CdTe/CdS量子點的熒光發(fā)射光譜波長位于656nm包覆一層二氧化硅后其發(fā)射光譜發(fā)生藍移,在653nm處發(fā)射很強的熒光。利用二氧化硅球表面的羥基與BPEI-CQDs碳量子點表面氨基靜電作用,在異腈酸酯存在下發(fā)生脫水作用,成功制備了CdTe/CdS@SiO2@BPEI-CQDs雙發(fā)射熒光納米探針(圖4.4)。在365nm激發(fā)下,該探針的熒光發(fā)射光譜分別位于450nm,650nm,表明BPEI-CQDs碳量子點被成功修飾在二氧化硅球上。

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以上資料來自小編axc,2022.03.08

以上文中提到的產(chǎn)品用于科研,不能用于人體。


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