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氮化硅薄膜的制備方法(Si3N4)
1.物相沉積（PVD)法
磁控反應(yīng)濺射(Magnetron Sputting>法、離子束沉積（IBED)法
2.化學(xué)氣相沉積（CVD）法
熱化學(xué)氣相沉積（HCVD)法、光化學(xué)氣相沉積（PCVD)法
除此之外，還有常壓熱化學(xué)氣相沉積(APTCVD)法、快熱化學(xué)氣相沉積(RTCVD)法、電子回旋共振CVD (ECRCVD)、催化CVD法(Cat-CVD)、混合激發(fā)CVD法（HECVD)等等。
3.直接氮化法
NH3高溫氮化、等離子體氮化、離子束氮化、激光輔助氮化
西安齊岳生物科技有限公司是一家從事糖產(chǎn)品、科研試劑、多肽、石墨烯、石墨炔(graphyne)發(fā)光材料、金屬配合物發(fā)光材料、光電材料、MAX相陶瓷，碳納米管、原料藥、納米材料、鈣鈦礦、脂質(zhì)體、合成磷脂的、定制合成、生產(chǎn)和銷售的生物科技有限公司。
齊岳供應(yīng)產(chǎn)品：
| 氮化硅/碳纖維/環(huán)氧樹脂導(dǎo)熱復(fù)合材料(SiN/CF/EP) |
| 多層與單層納米管(MWCNTs、SWCNTs |
| BAS/Si3N4復(fù)合材料 |
| SiAlON陶瓷 |
| BAS/SiC復(fù)合材料 |
| Si3N4/BAS陶瓷復(fù)合材料 |
| SiC(w)/SiN復(fù)合材料 |
| Si3N4-Al2O3-Y2O3-MgO復(fù)合物 |
| 碳化硅/氮化硅/聚丙烯復(fù)合材料 |
| Si3N4/SiC/PP復(fù)合材料 |
| 碳納米管-氮化硅改性聚丙烯復(fù)合材料 |
| Si3N4-BN氮化硅-氮化硼系復(fù)合材料 |
| α-Si3N4(w)/RBSN復(fù)合材料 |
| β-SiC(w)/RBSN復(fù)合材料 |
| β-Si3N4(w)/Si3N4復(fù)合材料 |
| β-SiC(w)/Si3N4復(fù)合材料 |
| 金屬鎳-氮化硅陶瓷復(fù)合材料 |
| 硅硼氧氮纖維/氮化硅陶瓷復(fù)合材料 |
| 硅@氮化硅@碳核殼結(jié)構(gòu)復(fù)合材料 |
| Si@Si3N4@C核殼結(jié)構(gòu)復(fù)合材料 |
| 碳包覆氮化碳/硅-氮化硅/二氧化硅復(fù)合材料 |
| 導(dǎo)電氮化鈦/氮化硅納米復(fù)合材料 |
| 氮化硅/氮化鈦納米復(fù)合材料 |
| 亞微米級(jí)硅顆粒/氮化硅/碳復(fù)合材料 |
| 氮化硅/聚對(duì)苯二甲酸酯納米復(fù)合材料 |
| Ni金屬膜覆蓋Si3N4襯底生長(zhǎng)濃度可控石墨烯材料 |
| CrN/Si3N4納米多層膜 |
| Si3N4襯底表面上的納米級(jí)Au薄膜 |
| 硅襯底上制備了si3N4薄膜 |
| 銻化銦襯底上生長(zhǎng)Si3N4和SiO2雙層介質(zhì)膜 |
| 硅襯底上直接合成了Si3N4/SiO2同軸納米線 |
| 不同基底偏壓條件下CrN/Si3N4納米多層膜 |
| 藍(lán)寶石和硅襯底上氮化硅(Si3N4)薄膜 |
| 藍(lán)寶石襯底上Si3N4膜 |
| Si3N4襯底上TST薄膜 |
| Si的納米顆粒在Si3N4/Si(111)和Si3N4/Si(100)表面生長(zhǎng)薄膜 |
| Si3N4/Si襯底上淀積55nm氧化釩薄膜 |
| Al的Si3N4納米線 |
| 石英玻璃襯底上沉積平凸形Si3N4球面介質(zhì)膜 |
| Si3N4襯底上制備V2O5/V/V2O5復(fù)合薄膜 |
zl 03.24
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