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局部放電檢測儀的定義及產(chǎn)生原因

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局放理論概述

在開始我們的實(shí)驗(yàn)以前,我們首先應(yīng)該對局部放電有個(gè)初步的了解,為什么要測量局部放電?局部放電有什么危害?怎樣準(zhǔn)確測量局部放電?有了上述理論基礎(chǔ)可以幫助我們理解測量過程中的正確操作。

局部放電的定義及產(chǎn)生原因

     在電場作用下,絕緣系統(tǒng)中只有部分區(qū)域發(fā)生放電,但尚未擊穿,(即在施加電壓的導(dǎo)體之間沒有擊穿)。這種現(xiàn)象稱之為局部放電。局部放電可能發(fā)生在導(dǎo)體邊上,也可能發(fā)生在絕緣體的表面上和內(nèi)部,發(fā)生在表面的稱為表面局部放電。發(fā)生在內(nèi)部的稱為內(nèi)部局部放電。而對于被氣體包圍的導(dǎo)體附近發(fā)生的局部放電,稱之為電暈。由此 總結(jié)一下局部放電的定義,指部分的橋接導(dǎo)體間絕緣的一種電氣放電,局部放電產(chǎn)生原因主要有以下幾種:

1、 電場不均勻。

2、 電介質(zhì)不均勻。

3、 制造過程的氣泡或雜質(zhì)。最經(jīng)常發(fā)生放電的原因是絕緣體內(nèi)部或表面存在氣泡;其次是有些設(shè)備的運(yùn)行過程中會(huì)發(fā)生熱脹冷縮,不同材料特別是導(dǎo)體與介質(zhì)的膨脹系數(shù)不同,也會(huì)逐漸出現(xiàn)裂縫;再有一些是在運(yùn)行過程中有機(jī)高分子的老化,分解出各種揮發(fā)物,在高場強(qiáng)的作用下,電荷不斷地由導(dǎo)體進(jìn)入介質(zhì)中, 在注入點(diǎn)上就會(huì)使介質(zhì)氣化。

二 、局部放電的模擬電路及放電過程簡介

介質(zhì)內(nèi)部含有氣泡,在交流電壓下產(chǎn)生的內(nèi)部放電特性可由圖1—1的模擬電路(a b c等值電路)予以表示;其中Cc是模擬介質(zhì)中產(chǎn)生放電間隙(如氣泡)的電容;Cb代表與Cc串聯(lián)部分介質(zhì)的合成電容;Ca表示其余部分介質(zhì)的電容。


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