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東莞惠海半導體有限公司

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POE機電源MOS管100V15A貼片N溝道17N10

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產(chǎn)品型號HC080N10L

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所在地深圳市

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更新時間：2020-02-27 10:12:21瀏覽次數(shù)：400次

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產(chǎn)品分類 品牌分類

  中低壓MOS管

場效應(yīng)管MOS管

MOS管

場效應(yīng)管

50N06

車燈驅(qū)動*MOS

汽車燈電源MOS管

電機驅(qū)動器MOS管

MOS管DTU40N06

車燈MOS

60V貼片MOS

MOS管G1003A

PWM調(diào)光無頻閃IC

AO3400

汽車燈*MOS管

汽車燈MOS

加濕器MOS管

香薰機*MOS管

霧化器*MOS管

DTU15N10

60V MOS管

100V5A

替代VS1H03AL

30V貼片MOS

替代AO3400

30V貼片MOS管

汽車燈MOS管

60V30A MOS管

遠近光燈切換MOS管

貼片MOS100V4A

貼片MOS管100V5A

貼片MOS 100V2A

100V3A貼片MOS

POE電源MOS管

DTU35N06

G1002

替代G1002L

G1003B

G1003A

CMD12N10

100V貼片MOS管

100V MOS管

4N10 MOS管

30N06 MOS管

50N06 MOS管

3400

DTU35N06 35A60V

50N06 50A60V MOS管

HC510

4N10

霧化器MOS管

小家電MOS管

15N10

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東莞惠海半導體有限公司

經(jīng)營模式：生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品：2237條

所在地區(qū)：廣東深圳市

聯(lián)系人：周任宗（市場經(jīng)理）

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產(chǎn)品簡介

POE機電源MOS管100V15A貼片N溝道17N10
HC080N10L低結(jié)電容，低內(nèi)阻，低結(jié)電容,低開啟電壓，溫升低，轉(zhuǎn)換效率高，過電流大，抗沖擊能力強。目前在霧化器、香薰機、加濕器控制板市場月出貨量均達到5KK以上，性能非常好、成熟穩(wěn)定

詳細介紹

深圳市惠新晨電子有限公司

型號:HC080N10L ,絲印：15N10，參數(shù)：15A100V ，類型：N溝道場效應(yīng)管，內(nèi)阻70mR，低結(jié)電容525pF，封裝：貼片（SOP-8），低開啟電壓1.5V，低結(jié)電容，低內(nèi)阻，低結(jié)電容,低開啟電壓，溫升低，轉(zhuǎn)換效率高，過電流大，抗沖擊能力強，批量*性好

可用于加濕器、霧化器、香薰機、LED驅(qū)動電源、馬達驅(qū)動電機、POE交換機電源等產(chǎn)品，性價比高

在客戶正式量產(chǎn)訂貨前公司可免費提供樣品測試

惠新晨電子的宗旨是提供高品質(zhì)高性能中低壓MOS管產(chǎn)品，質(zhì)量放在*位，價格第二

POE機電源MOS管100V15A貼片N溝道17N10

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工廠規(guī)模：
封裝廠圖1

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可靠性測試及品質(zhì)把控：

封裝及測試流程：

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公司庫存實力展示：

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場效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管;而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。

場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導電，所以稱之為單型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導電。被稱之為雙型器件。

有些場效應(yīng)管的源和漏可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。

場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。

場效應(yīng)晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點，因而也被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。尤其用場效管做整個電子設(shè)備的輸入級，可以獲得一般晶體管很難達到的性能。

場效應(yīng)管分成結(jié)型和緣柵型兩大類，其控制原理都是一樣的。

Mos管是金屬（metal）—氧化物（oxid）—半導體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管?；蛘叻Q是金屬—緣體（insulator）—半導體。MOS管的源（source）和漏（drain）是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。

當MOS電容的柵（Gate）相對于襯底（BACKGATE）正偏置時發(fā)生的情況。穿過GATE DIELECTRIC的電場加強了，有多的電子從襯底被拉了上來。同時，空穴被排斥出表面。隨著GATE電壓的升高，會出現(xiàn)表面的電子比空穴多的情況。由于過剩的電子，硅表層看上去就像N型硅。摻雜性的反轉(zhuǎn)被稱為inversion，反轉(zhuǎn)的硅層叫做溝道（channel）。隨著GATE電壓的持續(xù)不斷升高，越來越多的電子在表面積累，channel變成了強反轉(zhuǎn)。Channel形成時的電壓被稱為閾值電壓Vt。當GATE和BACKGATE之間的電壓差小于閾值電壓時，不會形成channel。所以MOS是電壓控制型器件。

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