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東莞惠海半導(dǎo)體有限公司
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東莞惠海半導(dǎo)體有限公司
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產(chǎn)品型號HC018N10L
品 牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地深圳市
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更新時間：2020-02-28 10:25:13瀏覽次數(shù)：435次
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100V39A場效應(yīng)管 雙電弧機(jī)用100V貼片TO-252
低結(jié)電容，低內(nèi)阻,低開啟電壓，溫升低，轉(zhuǎn)換效率高，過電流大，抗沖擊能力強(qiáng)
深圳市惠新晨電子有限公司
型號:HC018N10L參數(shù)：100V39A ，類型：N溝道結(jié)MOS場效應(yīng)管，內(nèi)阻22毫歐， 低結(jié)電容1000pF， 封裝：貼片（TO-252），低開啟電壓1.5V，低內(nèi)阻，低結(jié)電容,低開啟電壓，溫升低，轉(zhuǎn)換效率高，過電流大，抗沖擊能力強(qiáng)
HC018N10L是一款專門為電弧機(jī)應(yīng)用于市場設(shè)計(jì)開發(fā)的一款結(jié)MOS管，低開啟電壓 低內(nèi)阻，特別適合應(yīng)用于電弧機(jī)，其特點(diǎn)是打火猛、溫度低、打火時間長、火花四射
惠新晨電子的宗旨是提供高品質(zhì)高性能中低壓MOS管產(chǎn)品，質(zhì)量放在*位，價格第二
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工廠規(guī)模：
可靠性測試及品質(zhì)把控：
100V39A場效應(yīng)管 雙電弧機(jī)用100V貼片TO-252
100V39A場效應(yīng)管 雙電弧機(jī)用100V貼片TO-252
不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會減小導(dǎo)通損耗。現(xiàn)在的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。
MOS在導(dǎo)通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內(nèi)，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關(guān)損失。通常開關(guān)損失比導(dǎo)通損失大得多，而且開關(guān)頻率越快，損失也越大。
導(dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大?？s短開關(guān)時間，可以減小每次導(dǎo)通時的損失；降低開關(guān)頻率，可以減小單位時間內(nèi)的開關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開關(guān)損失。
封裝及測試流程：
公司庫存實(shí)力展示：
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跟雙性晶體管相比，一般認(rèn)為使MOS管導(dǎo)通不需要電流，只要GS電壓高于一定的值，就可以了。這個很容易做到，但是，我們還需要速度。
在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅(qū)動，實(shí)際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流，因?yàn)閷﹄娙莩潆娝查g可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設(shè)計(jì)MOS管驅(qū)動時*要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。
第二注意的是，普遍用于驅(qū)動的NMOS，導(dǎo)通時需要是柵電壓大于源電壓。而驅(qū)動的MOS管導(dǎo)通時源電壓與漏電壓（VCC）相同，所以這時柵電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個系統(tǒng)里，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達(dá)驅(qū)動器都集成了電荷泵，要注意的是應(yīng)該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅(qū)動MOS管。
上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導(dǎo)通電壓，設(shè)計(jì)時當(dāng)然需要有一定的余量。而且電壓越高，導(dǎo)通速度越快，導(dǎo)通電阻也越小。現(xiàn)在也有導(dǎo)通電壓小的MOS管用在不同的領(lǐng)域里，但在12V汽車電子系統(tǒng)里，一般4V導(dǎo)通就夠用了。
MOS管的驅(qū)動電路及其損失，可以參考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。講述得很詳細(xì)，所以不打算多寫了。
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