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閱讀：171發(fā)布時(shí)間：2022-4-5
國(guó)民技術(shù)自進(jìn)入國(guó)產(chǎn)通用MCU，物聯(lián)網(wǎng)MCU，低功耗MCU的領(lǐng)域以來(lái)，堅(jiān)持技術(shù)創(chuàng)新，自主研發(fā)，目前已推出了70余款主流MCU型號(hào)，2020年更是憑借N32G系列、N32L系列在國(guó)內(nèi)獲得了多個(gè)獎(jiǎng)項(xiàng)。
為何國(guó)民技術(shù)的MCU能夠獲得如此殊榮，主要與N32G/N32L系列的產(chǎn)品創(chuàng)新技術(shù)與優(yōu)勢(shì)有關(guān)。
一、創(chuàng)新
國(guó)民技術(shù)創(chuàng)新推出物理隔離機(jī)制，支持內(nèi)嵌存儲(chǔ)器多用戶分區(qū)及權(quán)限管理，*技術(shù)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用：
?安全功能創(chuàng)新：支持多種安全功能單元的MCU，支持安全啟動(dòng)、多用戶分區(qū)管理、多種加解密算法、安全存儲(chǔ)、系統(tǒng)實(shí)時(shí)電壓檢測(cè)等。
?支持多種安全加解密算法：支持國(guó)密/國(guó)際雙密碼算法，相比于傳統(tǒng)的軟件算法，性能提高數(shù)十倍以上，系統(tǒng)資源使用減少5倍以上，有效提高存儲(chǔ)資源使用率。
?高性能：同等主頻情況下，具有優(yōu)異的指令處理能力，可實(shí)現(xiàn)無(wú)等待取指與執(zhí)行。
?高集成度：集成多種模擬外設(shè)、電源管理電路、數(shù)模及模數(shù)電路、較低方案BOM成本。
2，制程創(chuàng)新：工藝制程上采用多電源域技術(shù)及動(dòng)態(tài)電壓調(diào)整技術(shù)實(shí)現(xiàn)極低漏電，達(dá)到功耗與性能的平衡，待機(jī)功耗低至1uW，動(dòng)態(tài)功耗低至60uA/MHz，微秒級(jí)啟動(dòng)與功耗模式轉(zhuǎn)換速度。
3，單顆芯片上安全與性能達(dá)到平衡。
二、優(yōu)勢(shì)
1、全系列自帶安全Flash優(yōu)勢(shì)
2、PIN2PIN兼容優(yōu)勢(shì)
3、超低功耗技術(shù)優(yōu)勢(shì)
4、低成本，高性能
目前國(guó)民技術(shù)基于N32G/N32L系列的MCU推出了具有行業(yè)性的整體解決方案，其中包括單芯片無(wú)磁智能表計(jì)方案、6 in 1單芯片安全智能門(mén)鎖解決方案、多電機(jī)FOC控制方案。
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