MCD50-B/3+NPE一級浪涌保護器設計依據(jù)是
浪涌保護器MCD 50-B和MCD 125-B/NPE滿足標準DIN、VDE 6F5 Part6（Draft 11.89）A1,A2對B類器件的需求條件，以及標準IEC61643-1（02，89）對第Ι級浪涌保護器的要求，他們與后級限壓型電涌保護器配合使用時，無需設計退耦裝置，可以將兩極保護器安裝在一起。該產(chǎn)品是OBO在間隙型浪涌保護器的多電極石磨堆疊技術新發(fā)展。
MCD50-B以其低保護電壓水平（Up≤1.31KV）的特性，確保了與MCD50-B/3+NPE一級浪涌保護器與C級浪涌保護器配合使用時，不需要設計退耦裝置或者在B級和 C級之間留一定的安裝距離。這樣它可以節(jié)省超過45%的安裝空間，MCD50-B這個特性特別是對緊湊型Z-MC概念有著特殊的貢獻。另外，NPE放電間隙MCD125-B/NPE雷擊電涌保護器其大通流量的特性在TT、TN-S系統(tǒng)中使用，可以同時作為B和C級浪涌保護器的NPE保護模塊，節(jié)省費用及安裝空間。
新的MCD50-B/3+NPE一級浪涌保護器周的應用環(huán)境是，需要有緊湊的防雷保護概念或者需要在一個獨立的小型機房內(nèi)安裝B和C兩級浪涌保護器的環(huán)境。
MCD50-B/3+NPE一級浪涌保護器參數(shù)
雷電保護控制器
型號 | MCD50-B/3+NPE |
標稱電壓 UN | 230 V/50-60 HZ |
zui大持續(xù)工作電壓 UC | 255 V |
需求等級
－按照DIN VDE 0675 Part 6（Draft 11.89）A1,A2
－按照IEC 61643-1 |
B
Ⅰ級
|
雷電保護區(qū) | 0→1 |
絕緣電阻 Rins | >100 MΩ |
電壓保護水平 Up | <2 kV |
響應時間 TA | <100 ns |
浪涌電流測試（10/350）－根據(jù)IEC 61312-1(02.95)規(guī)定的雷電流參數(shù)
峰值電流 Iimp
電量 Q
單位能量 W/R |
125 kA
62.5 As
3.9 MJ/Ω
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保護器在UC下的市電后續(xù)電流遮斷能力 | 100 Arms |
溫度范圍 υ | -40℃到+85℃ |
空氣濕度 | ≤95% |
IP 等級 | IP 20 |
連接體橫截面積單股/多股/多股軟線
緊固扭矩（MA）至少4Nm | 10-50/ 10-25/ 10-35mm2
AWG 8-2 |
安裝 | 卡接在35mm2導軌上
（根據(jù)DINEN50022） |
